RSS

Компьютерная терминология    1_9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z  .....  A  Б  В  Г  Д  Ж  З  И  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч

Memory faq

31.03.2005

Toshiba и Elpida начали выпуск сверхбыстродействующей памяти XDR DRAM

Японские компании Toshiba и Elpida объявили о начале опытного производства модулей сверхбыстродействующей оперативной памяти XDR DRAM (eXtreme Data Rate).

XDR DRAMНовые микросхемы памяти, построенные с использованием технологий Rambus, предназначены для использования в мультимедийных серверах, графических станциях, а также бытовой электронике, например, игровых приставках и цифровых телевизорах. 512-мегабитные чипы Toshiba XDR DRAM (TC59YM916BKG) работают на тактовой частоте 4,8 ГГц (пиковая частота 6,4 ГГц) при напряжении питания в 1,8 В. Выполняются микросхемы в корпусировке BGA.

Чипы памяти Elpida XDR DRAM (EDX5116ABSE) производятся по 110- нанометровой технологии в корпусировке FBGA. Тактовая частота работы 512-мегабитных модулей составляет 3,2 ГГц, пропускная способность достигает 6,4 Гб/с. Поставки образцов микросхем памяти XDR DRAM от Toshiba и Elpida уже начались, массовое производство запланировано на вторую половину нынешнего года.

Следует добавить, что около двух месяцев назад выпуск микросхем памяти XDR DRAM начала южнокорейская компания Samsung. Кстати, согласно прогнозам аналитической фирмы IDC, рынок памяти XDR DRAM в ближайшее время будет стабильно расти и к 2009 году достигнет объема в 800 миллионов модулей в расчете на 256-мегабитные микросхемы.

11.01.2005 Infineon объявила о запуске в обращение нового бренда, рассчитанного на местных производителей ПК (white-box PC). Как сообщает интернет-ресурс Digitimes, ориентированные на данный сектор рынка модули памяти получили название Aeneon.

Впрочем, впервые данный бренд начал использоваться компанией еще в ноябре 2004 года в США и Европе. Теперь же к последним присоединятся еще и государства Азии. Предполагается, что продукция с брендом Aeneon будет реализовываться через сторонних производителей модулей памяти.

Бесплатная консультация специалиста

Loading…

В настоящее время компания поставляет в основном лишь модули стандарта DDR333 и объемом 256 МБ. В будущем к ним присоединится и другая продукция, в том числе и DDR2 память.

Имеется система на базе младших моделей процессоров Pentium или AMD-K5/K6,Cyrix, под Socket 7. Обычно, материнские платы таких компьютеров основаны на порядком устаревших к настоящему времени чипсетах Intel 430VX/TX/HX или VIA VPX/VP2. Шина таких компьютеров 64-битная, что говорит о возможности использования в них парных 72-контактных модулей SIMM или одинарных модулей DIMM (Dual In Line Memory Module модуль, с двумя рядами контактов), имеющих 64 разрядную структуру и 168 контактов.Эти системы поддерживают такой тип памяти, как EDO (Extended Data Out - расширенная передача данных).

Преимущество такой памяти в том, что она позволяет ускорить процесс считывания последовательных массивов данных. Cегодня, фактическим стандартом стала память SDRAM (Synchronous Dual In-line Memory Modules). Относительно новые платы под Socket 7 имеют поддержку SDRAM. Модули SDRAM выпускаются в конструктиве DIMM и имеют все ту же 64 разрядную структуру и 168 контактов.

Первые модули SDRAM могли работать в системах с частотой шины 66 МГц (Intel TX/VX,VIA VPX) – по паспорту, в такие системы вы сможете установить только память DIMM SDRAM PC66. Есть, конечно, и исключения. Вероятность того, что недавно выпущенная память SDRAM PC100, будет работать на вашей материнской плате,поддерживающей только SDRAMM PC66, очень невелика.

Не рекомендуется добавлять SDRAM DIMM, к уже установленным на плате SIMM модулям памяти. В силу различия в напряжениях питания (для SIMM это 5 вольт, а для SDRAM DIMM только 3,3), вы можете потерять свежеустановленный модуль DIMM. Да и материнские платы, в которые (согласно руководству) можно устанавливать одновременно и SIMM и DIMM модули встречаются достаточно редко.

Intel Celeron/PIII, AMD K6-2/Athlon/Duron

Такие системы представляют собой или совсем недавнее прошлое или настоящее

компьютерных технологий. Большинство материнских плат для таких компьютеров построены на чипсетах ALI Aladdin 5 и VIA MVP3/4 (прошлое), Intel 440BX/810,VIA Apollo Pro 133 (совсем недавнее прошлое) или Intel 815, VIA ApolloPro 133А/KT133/KT133A (настоящее). Так как стандартом для подавляющего большинства современных чипсетов является память SDRAM, то и рассмотрим более подробно именно ее. Конструктивные параметры SDRAM (Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules) следующие:

1. Общее количество контактов DIMM модуля 168.

2. На модуле, со стороны зоны контактов, имеется 2 ключа которые делят всю линейку контактов на 3 группы по 20, 60, 88 контактов.

3. Напряжение питания DIMM SDRAM модуля 3,3 В.

4. Ширина шины данных 64 или 72 bit.

Q. B каких же случаях нужна максимальная рабочая частота памяти в 133МГц?

A.На чипсетах, синхронно работающих с памятью (Intel 440BX), оперативная память может работать только на частоте системной шины. Таким образом, если мы имеем процессор Intel Celeron, который у нас работает на своей стандартной частоте шины 66МГц, то и памяти стандарта PC100, нам хватит за глаза. Другое дело, когда мы имеем процессор Intel Pentium III, работающий на частоте системной шины 100 или 133МГц. Во втором случае, нам и понадобится память с максимальной рабочей частотой 133МГц.Казалось бы, все просто. Но нет, эти утверждения справедливы лишь для чипсетов, поддерживающих синхронную работу памяти и системной шины. Более новые чипсеты, (VIA Apollo Pro 133А/KX133/KT133A) способны обеспечивать асинхронную работу памяти и системной шины. В этом случае, память может работать, как на частоте системной шины, так и на отличной на 33МГц от нее частоте, как в большую, так и в меньшую сторону.Таким образом, с процессорами, рассчитанными на системную шину 133МГц,можно использовать память стандарта PC100, и обратно, с процессорами на 100-мегагерцовой шине, можно работать с частотой памяти в 133 МГц. Если же рассматривать материнские платы на чипсете Intel 815, то тут ситуация обстоит следующим образом. Чтобы проиллюстрировать возможности установки частоты системной шины и памяти такого чипсета, приведем настройки, возможные на одной из образцовых плат, имеющей чипсет i815 - ASUS CUSL2. В ручном режиме ASUS позволяет установить следующие значения частот FSB/SDRAM/PCI:

133/133/33, 133/100/33, 100/100/33, и 66/100/33. Что же мы видим? На частоте шины 100МГц, память может работать тоже только на 100МГц, а частоту 133МГц для памяти, при шине 100МГц установить мы уже не сможем. Хотя, для значений системной шины в 66 МГц и 133 МГц уже становится возможным изменить частоту памяти.

Если рассматривать частоты системной шины выше 133МГц, что можно наблюдать, например, при разгоне процессоров Pentium III с индексом EB, то тут можно сказать следующее. На сегодняшний день, память, работающую на частотах,выше 160-170МГц найти будет очень проблематично.

Время доступа

1c. / 5 нс. = 200 МГц.

1c. / 6 нс. = 166 МГц. (на сегодня, для памяти это лучшее что можно найти);

1c. / 7,5 нс. = 133 МГц.

1c. / 8 нс. = 125 МГц. (обычное время доступа для современных модулейPC100).

Время доступа обычно указывается на самой микросхеме памяти. Маркировка на микросхемах памяти NCP и M.tec, с указанием времени доступа.Микросхема, с обозначением NCP имеет маркировку NP33S886400K-8. Последняя цифра 8 говорит том, что этот чип имеет время доступа 8 нс. (PC100) и работает с максимальной частотой 100МГц, что и подтверждается вышеприведенной наклейкой.

А вот микросхема, с обозначением M.tec имеет маркировку TBS6408B4E-6. Обратите внимание на последнюю цифру 6. и наклейка на ней PC133 (смотри выше).

Возможность работать с минимальными таймингами Тут можно выделить три установки, в наибольшей степени влияющие на быстродействие памяти: CAS Latency - задержка CAS; CAS to RAS Delay - задержка между CAS и RAS и RAS Precharge - предварительный заряд RAS.

Одноименные опции можно найти в BIOS, наиболее вероятно в разделе Chipset Features Setup.

SDRAM CAS Latency Time - задержка, необходимая для выдачи сигнала CAS, то есть количество тактов от момента запроса данных, до их считывания с модуля памяти. Это один из самых важных параметров, влияющих на быстродействие оперативной памяти. Он может быть равным 2 или 3 тактам.

SDRAM CAS to RAS Delay - задержка между сигналами RAS и CAS,определяющая количество тактов, необходимых для задания сигналов RAS и CAS контроллером памяти. Данный параметр также оказывает существенное влияние на производительность памяти. Может принимать значения 2 или 3. Современные модули памяти в большинстве случаев способны работать при выставлении этому параметру значения 2.

SDRAM RAS Precharge Time - длительность перезарядки RAS до начала цикла регенерации памяти. Обычно, значение данного тайминга устанавливают равным 2, что соответствует быстрой перезарядке. Однако, как и в первых двух случаях, нужно смотреть на стабильность работы системы. Если

возникли проблемы, следует вернутся к значению 3. Часто, данная опция в BIOS не имеет явных значений, а может принимать значения Fast - быстрая и Slow - медленная зарядка.

Memory Timing By SPD - конфигурирование таймингов памяти согласно информации прошитой в SPD. Сначала разберемся, что такое SPD. Еще в спецификации PC100, устанавливающей определенный набор требований к модулям памяти, работающей на частоте 100МГц, заложено обязательное присутствие на линейках памяти SDRAM PC100, модуля SPD (Serial Presence Detection). Конструктивно, это небольшая энергонезависимая микросхема EPROM, в которой содержится информация о модуле памяти, необходимая для его правильного конфигурирования. Подавляющее большинство модулей, имеющихся сейчас на нашем рынке, поддерживают технологию SPD. На планках памяти PC66 и ранних поставок PC100, от не очень добросовестных производителей, такого модуля нет, что может говорить, в последнем случае, о перемаркировке обычных PC66, залежавшихся на складах:-).

Существует ряд утилит, которые могут помочь прочитать информацию, содержащуюся в микросхеме SPD вашей памяти. Пожалуй, наиболее известной программой, предоставляющей такую возможность, является SiSoftSandra. Основная масса модулей памяти, имеющихся на нашем рынке имеет в SPD тайминги 3-3-3, установленные производителем. Однако, большинство из этих модулей, способны на большее. Таким образом, при установке опции BIOS - Memory Timing By SPD в режим On, настройка системы на максимальную производительность становится невозможной. Модуль NCP SDRAM PC100, имеющий микросхему SPD.

                                 Буквенное обозначение продукции некоторых major - производителей:
FujitsuMBMicronMT
ToshibaTCNECmPd
 HyundaiHYMosel VitelicV
HitachiHMSamsung(SEC)KM
LG SemiconGMOkiMSM
IBMIBMTexas InstrumentsTMS
MitsubishiM5MSiemens(Infineon)HYB

Определение емкости микросхем памяти программой SiSoft Sandra.

Обозначение емкости микросхемы (не путать с емкостью всего модуля памяти) обычно представляется следующей маркировкой, например 8Мґ8 (смотри выше,на чипе NCP),где первая цифра обозначает количество ячеек, а вторая разрядность одной ячейки. В данном случае емкость чипа составляет 8ґ8=64Мбит. В случае маркировки 8Мґ16, емкость чипа составит 128 Мбит. Один чип 64Мбит будет

равен 8Мб, а чип в 128Мбит - 16Мб. Таким образом, для составления всего модуля памяти емкостью 64 Мб, в первом случае понадобится 8 чипов по 64Мбит,а во втором 4 чипа по 128 Мбит. Чем это нам может помочь? При выборе памяти,надо ориентироваться на модули, содержащие чипы большой емкости, исходя из того простого соображения, что чем меньше чипов содержится на модуле памяти, тем по более современной технологии она сделана, а соответственно и работать будет лучше (минимальные тайминги на высокой частоте).Если же емкость на микросхеме не указана, определить ее можно при помощи специальных утилит (например, той же SiSoft Sandra). Вот например, как она определяет емкость чипов на установленных у меня модулях NCP:

Так, надпись 128MB 16ґ(8Mґ8) ...-в данном модуле памяти использованы 16 чипов по 64Мбит.

Overclock

Возможна также ситуация, когда различные по возможностям разгона модули маркируются одинаково, в силу особенностей маркетинговой политики некоторых компаний - производителей памяти. Отключив автоматическое конфигурирование по SPD можно начинать манипуляции с установками BIOS. Исходя из практического опыта, можно сказать, что для опций: SDRAM CAS to RAS Delay; SDRAM RAS Precharge Time обычно удается установить значение в 2 такта с сохранением стабильности системы. Иное дело с опцией SDRAM CAS Latency Time. Не всякая память способна работать на высоких частотах (например, 133МГц) с этой установкой в 2 такта. Да и совсем не обязана она это делать по спецификации. Практический опыт может нам сказать примерно следующее. Если рассматривать модули памяти, имеющиеся в продаже в настоящее время, то не совсем "левая" память, вероятнее всего будет работать на 100-125МГц с минимальными таймингами (2-2-2).

Для обеспечения большей стабильности, может помочь и такая, достаточно опасная мера воздействия на память, как увеличение питания на чипсет. Однако, тут умеренность должна стать главным принципом. Рекомендуется, в случае необходимости, повысить питание на 0,05-0,07В. (максимум на 0,1В.), до значений 3,38-3,4В. Естественно, что материнская плата должна иметь возможность увеличения питания чипсета (обычно такими возможностями отличается продукция таких известных производителей, как Abit, ASUS, Epox). Некоторые производители материнских плат, намеренно повышают питание чипсета в своих изделиях,для обеспечения большей стабильности в работе. У автора например, именно такая материнская плата, где на чипсет поступает питание в 3,38В. Необходимо также напомнить, что при помощи программы SiSoft Sandra можно не только определить характеристики памяти, но и протестировать ее быстродействие как до изменения значений таймингов, так и после и, как говорится, почувствовать разницу.

Справочная информация

NСP - с моей точки зрения, очень хорошая память, если руководствоваться соотношением цена/производительность. Модули SDRAM PC100, 64-128Мб. Маркировка: NP33S886400K-8. Стабильная работа на частоте 133МГц с таймингами 2-2-2,на 150МГц с таймингами 3-3-3. У автора данной статьи, два модуля памяти NCP с такой маркировкой без проблем держат 140МГц с таймингами 2-2-2. Модули SDRAM PC133, 64-128Мб. Маркировка: NP33S816128K-7,5. Стабильная работа на частоте 150МГц с таймингами 2-2-2. Я бы назвал модули с такой маркировкой лучшим выбором на сегодняшний день. По производительности соответствуют хорошему brand-у, при достаточно низкой цене. Единственное, в чем она уступает brand-у, так это тем, что качество сборки у NCP все-таки похуже. Объективности ради замечу, что автор слышал информацию, о несовместимости данной памяти с отдельными материнскими платами. У автора данного материала, такая память стояла на плате c чипсетом i810E, известном своей требовательностью к памяти при разгоне, и никаких нареканий не вызывала.

SEC (Samsung) - тоже неплохая память. Модули SDRAM PC133, 128-256Мб. Маркировка K4S280832B-TC75. Стабильная работа на частоте 133МГц с таймингами 2-2-2, на 150МГц с таймингами 3-3-3.

Hyundai - одна из ведущих компаний, производящих память. Модули SDRAM PC133, 64-128Мб. Маркировка: GM72V66841X75. Стабильная работа на частоте 133МГц с таймингами 3-3-3. Вообще информация по разгоняемости памяти от этого производителя весьма противоречива. Так, автор знаком с отзывами пользователей, у которых модули Hyundai 128-256Мб, стабильно работают на частоте 150МГц с таймингами 2-2-2.

M.tec - пример недорогой памяти, для установки в компьютеры не слишком требовательных пользователей. Модули SDRAM PC133, 64-256Мб. Маркировка: TMS6408B4E-6. Стабильная работа на частоте 150МГц с таймингами 3-3-3. Примите во внимание, тот факт, что данный модуль M.tec 64Мб на 150МГц работал.

- Winbond - сравнительно неплохая память. Модули SDRAM PC133,128Мб. Маркировка: V9812168H-75. Стабильная работа на частоте 133МГц с таймингами 2-2-2, на 150МГц с таймингами 3-3-3.

- Infinton - память под этой маркой выпускает компания Siemens, достаточно известный в компьютерном мире производитель. Модули SDRAM PC133, 128Мб. Маркировка: HYB39S64800CT-7.5. Стабильная работа на частоте 133МГц с таймингами 2-2-2. Модули SDRAM PC133, 256Мб, без сбоев работает и на 140МГц-ах, если выше, уже проблемы.

-------------------- При покупке памяти, обращать внимание на, если можно так выразится, косвенные признаки ее качества.Под такими признаками следует понимать внешний вид самого модуля (аккуратная пайка, не размытая маркировка на чипах лучше выжженная, чем нанесенная краской, наличие соответствующих наклеек, информация на которых не расходится с данными на чипах модуля).

---------------- Интел и память: шатания продолжаются

С форума интеловских разработчиков поступает информация, что виновник торжества не верит в PC2100 DDR память, и в свой массовый чипсет Brookdale/DDR под P4 будет встраивать поддержку только PC1600 памяти (100/200 МГц). В общем память PC1600 по отдаче приблизительно соответствует классической памяти PC133 SDR SDRAM. Поэтому интеловские намерения выглядят как-то странно, ведь свои сильные стороны P4 со своей 400 МГц системной шиной раскрывает при использовании быстрой памяти. Brookdale/DDR появится на свет лишь в первом квартале 2002 года, и к тому времени PC2100 будет уже вполне обкатанной и проверенной технологией, причем обкатанной главными интеловскими конкурентами. Складывается впечатление, что Интел, берясь за проектирование полной компьютерной архитектуры в ее узловых моментах, никак не может найти всвешенное и сбалансированное решение во всех компонентах, постоянно что-то да притормаживает. Не может служить оправданием и гипотетическая нацеленность Brookdale с PC1600 на нижний сегмент рынка.

Mushkin PC150 HSDRAM

Mushkin Enhanced Memory Systems, а также еще несколько производителей предлагают память PC150, способную достичь частоты 150MHz.

С появлением системных плат на чипсете VIA KT133A память PC150 должна получить определенное распространение, так как платы на KT133A могут достичь частоты системной шины 140-150MHz, а плата от Iwill - KK266, основанная на степпинге KT133A - A1 способна достичь 166MHz FSB, что даст неплохое увеличение производительности благодаря увеличенным частотам памяти и системной шины.

Теоретически, пропускная способность памяти, работающей на частоте 150MHz, равна 150MHz*8 байт(т.к. ширина шины 64 бита ) = 1200MB/s (1.2GB/s). Ну что же, по сравнению с 1.066GB/s у PC133 очень неплохо.

Q: Каковы различия между PC150 HSDRAM и PC133 HSDRAM?

A: Хех, вообще-то есть стандарты JEDEC, которые характеризуются префиксом PC и скоростным показателем. Единственные стандарты, которые были одобрены - это PC100 и PC133. PC150 - это не стандарт, а скорее соглашение. Enhanced Memory Systems является членом JEDEC, и нашей основной продукцией являются high-end модули DIMM PC133. Тем не менее, это не мешает нам производить модули памяти, маркированные PC150, так как мы можем гарантировать их работу на частоте 150MHz при CAS2. Неофициально же, все модули HSDRAM и Mushkin Rev.2 модули DIMM способны работать как минимум на частоте 166MHz. И все же мы должны определенным образом перестраховаться и поэтому маркируем эти модули как PC150, хотя они имеют огромный запас прочности.

Q: Возможно, не все знают, чем отличается HSDRAM от обычной SDRAM, поэтому перечислите, пожалуйста, основные различия.

A: Прежде всего, HSDRAM имеет более высокое качество, по сравнению с обычной SDRAM. Модули HSDRAM на 100% совместимы с SDRAM, но в то же время имеют несколько дополнительных особенностей. В настоящее время HSDRAM 150 - единственная память, способная работать на частоте 150MHz при CAS2. Другие представители семейства HSDRAM имеют уникальную способность функционировать при CAS1 при пониженных частотах системной шины - 40-50MHz, которые используются в embedded компьютерах для коммуникационных приложений. Некоторые члены семейства HSDRAM были специально протестированы для работы в широком температурном режиме, надежное функционирование в котором требует военное, индустриальное и автомобильное оборудование.

Q: Появится ли со временем что-нибудь вроде DDR HSDRAM?

A: Конечно появится, вот только сложно сказать когда. Это связано с тем, что Mushkin известна как компания-инноватор, основные усилия сейчас сконцентрированы на следующим поколением DDR - DDR-2 или EDDR. EDDR будет иметь небольшой объем кэша, интегрированного в каждый банк памяти, чтобы увеличить скорость доступа к данным. Красота новой технологии состоит в том, что данные кэшируются в ячейках SRAM, которые заменят стандартные вторичные sense усилители. Это позволяет экономить энергию, а также увеличивает производительность примерно на 20% по сравнению с обычной DDR при эквивалентной частоте.

Q: Mushkin предлагает широкий выбор разнообразных модулей памяти, в том числе серию High Performance. На какой рынок ориентирована HSDRAM 150 и как вы распределяете широкий спектр продуктов, поставляемых Mushkin?

A: HSDRAM 150 предназначена прежде всего для high end gaming / overclocking коммьюнити. Наша цель - достичь частоты 183MHz при 2-2-2 во второй половине этого года и, возможно, 200MHz при таких же низких таймингах к концу года.

Выводы

Mushkin EMS PC150 HSRDAM - очень качественный и надежный продукт.

Samsung присоединился к NEC и Micron в разработке чипа памяти QDR (Quad Data Rate). QDR - это новый виток в развитии памяти, позволяющий передавать за один такт уже в четыре раза больше данных, чем обычная SDR память и в два раза больше, чем DDR. Учетверение скорости - прямое последствие широкого внедрения DDR памяти, сделавшей возможным достижение частот выше 333 МГц. QDR позволит достигнуть частот выше 800 МГц. Новая технология разрабатывалась с 1999 года.

--- Q.Являюсь несчастливым обладателем матери на чипсете i850 и, соответственно, памяти Rambus. В комплекте с процессором шло два 64-мегабайтных модуля, всего 128 Мб, а этого мне мало. Хочется больше. Замыслил страшное дело - покупку двух модулей по 128 Мб. Но умные люди сказали мне, чтобы я не покупал себе модули по 128 Мб, так как память Rambus работает, только если все модули одинакового объема?

A.Полная фигня. Модули Rambus обязаны иметь одинаковый объем, только если работают в одном банке, то есть внутри пары (по одному они не работают). Что установлено в другом банке, им глубоко по барабану. Так что ваша затея с увеличением памяти до 384 Мб вполне даже реализуема. Идите, покупайте и ни о чем не жалейте - 384 мегабайта значительно лучше, чем 128.

----- Types of Memory Module

30 Pin SIMMs                                  

* The 30 Pin SIMMs was the 1st generation SIMM memory which are typically found in older Intel 286 and 386 desktop computer system.

* The 30pin SIMM module comes in both 8 bit and 9 bit(parity) configuration and memory capacity range from 256K to 8 megabyte.

* 30pin SIMM comes in only 5 Volts and speed range from 60ns to 80ns.

* The DRAM types supported are mostly Page Mode and Nibble Mode DRAM which comes in both DIP, PLCC and SOJ package

––––––––––

72 Pin SIMMs                                   

* 72pin SIMMs are typically found in the Intel 486/486DX,586 and Pentium-Pro desktop computer system.

* The 72pin SIMM module comes in both 32 bit and 36 bit(parity) configuration and memory capacity range from 4,8,16 to 32 megabyte.

* 72pin SIMM are offered in two voltage - 5V and 3.3V and speed range from 60ns to 70ns.

* Fast page mode and EDO are the standard DRAM type offered in this option.

* Dram chip package offered comes in DIP,PLCC and SOJ packages.

–––––-

168 Pin DIMM                                     

* 168 PIN DIMMs are mostly used in most desktop systems manufactured today.

* Two different types of memory technology are being offered - EDO/FPM DRAM and the Syncronous DRAM are normally packaged in this DIMM form factor.

* The 168pin DIMM module comes in three configuration 64bit, 72bit and 80Bit(ECC) configuration and memory capacity range from 16,32,64 to 1000 megabyte.

* Two voltage are offered :

- EDO/FPM = 3.3V and 5V

- SDRAM = 3.3V only

* 168pin DIMM added features is the inclusion of a serial eeprom called the "Serial Presence Detects" which contains information about the module type.

* 168 DIMM which uses SDRAM memory can reach a maximum frequency of 150Mhz, without crashing the PC systems.

* 168pin DIMMs are also offered in two configuration for different PC applicaiton - Register DIMM or Buffered DIMM for Servers and Unbuffered DIMM for PC.

72 Pin SODIMM                                       

* 72pin SODIMMs are typically used in the Pentium-II Laptop computer system.

* The 72pin SODIMM module comes in 64 bit configuration and memory capacity range from 8,16 to 32 megabyte.

* For low power application only one voltage are offered : EDO/FPM = 3.3V

* Fast page mode and EDO are the standard DRAM type offered in this option.

* EDO/FPM DRAM chip package offered comes in SOJ packages.

144 Pin SODIMM                                      

* 144 SODIMMs are typically used in the PC66 and PC100 SDRAM Laptop compatibile computers.

* The 144pin SODIMM module comes in both 64 bit and 72bit ECC configuration and memory capacity range from 16 to 256 megabyte.

* SDRAM chips used on the 144 SODIMM are typically SDRAM made in TSOP package and comes in 3.3V only.

100 Pin DIMM                                         

* 100 PIN DIMMs are primarily used in printers.

* The 100pin DIMM module comes in both 64 bit and 72bit ECC configuration and memory capacity range from 16 to 128 megabyte.

* SDRAM chips used on the 100 DIMM are typically SDRAM made in TSOP package.

* EDO/Page mode DRAM are also used on 100pin DIMM.

-----------

144 Pin Micro-DIMM                                         

* 144 PIN Micro-DIMMs are primarily used in digital assistants, subnotebooks and notebook computers.

* The 144pin Micro-DIMM module comes in 64 bit configuration and memory capacity range from 46 to 128 megabyte.

* DRAM Chips used on the 144 Micro-DIMM are typically SDRAM made in TSOP package, DDR SDRAM will be available soon.

-----------

184 Pin RIMM                                            

* The 184 pin RIMM are used in the latest Intel 820/840 Rambus PC System.

* The 184 pin RIMM module comes in both 16bit and 18bit ECC configuration and memory capacity range from 64 to 512 megabyte.

* The rambus memory chip is package in a Ball Grid Array (BGA) form factor.

* One of the key features of Rambus memory is its high operating frequency which comes in grades of 600,700 and 800Mhz.

* Power needed to drive the rambus chip is only 2.5 Volts

* The 1 Ghz Rambus chip is under development and is slated to be launched next year 2001.

- 184 Pin DIMM                                              

* The 184 Pin DIMM is the up and coming mainstream memory technology which supports DDR SDRAM.

* The main difference between the regular sdram vs ddr sdram is its capability to read/write data on both edges of a clock, therefore resulting in a faster data transfer.

* DDR memory comes in two frequency - 200Mhz and 266Mhz, and operates at 2.5 Volts.

* The 184pin DIMM module comes in both 64 bit and 72bit ECC configuration and memory capacity range from 64 megabyte up to 1 gigabyte.

* DDR SDRAM chips used on the 184 DIMM are typically SDRAM made in TSOP package.

------- 200 Pin SODIMM                                              

** The 200pin SODIMM module comes in both 64 bit and 72bit ECC configuration and memory capacity range from 64 megabyte up to 512 megabyte.

** DDR SDRAM chips used on the 184 DIMM are typically SDRAM made in TSOP package.

** DDR SODIMM module will be used in the next DDR Laptop Application.

PC2400 DDR Memory-Basics of DDR Memory

DDR (double data rate) SDRAM memory technology is a revolutionary new technology derived from the mature SDRAM technology.The secrets behind DDR memory''''s high performance architecture are its capability to perform two data read/write operations in one clock cycle – therefore providing twice the throughput of SDRAM. How many type of DDR memory are there?

DDR memory currently supports memory bus speeds of either 100 or 133MHz, with newer and faster memory bus speed such as 166 and 200Mhz still under review by the JEDEC committee. Recently while researching online for memory prices update , I chance upon an unofficial new addition to the DDR family – called the PC2400 DDR DIMM memory.

Corsair Memory an industry leader in high density DRAM DIMM Memory Modules have aggressively announced that it is now offering Extended Memory Speed ("XMS") Double Data Rate DIMMs. These modules support a memory clock speed of 150 MHz, which yields a memory data rate of 300 MHz, or 2.4 gigabytes per second.See picture of Corsair DDR Module.Check Corsair press release

                        

nfact there is no such thing as a PC2400 standard, currently DDR SDRAM comes in three flavours, PC1600, PC2100 , PC2700 and now adding the fourth flavour PC2400.

------- PC2100 SDRAM are used in systems running with a 133 MHz (266 MHz) front side bus,

PC1600 SDRAM are used in systems with a 100 MHz (200 MHz) front side bus.

PC2700 DDR Memory, which will allow you to run a healthy 166 MHz FSB (333 MHz) effectively

PC2400 basically refers to the fact that these sticks will allow you to run the your system at 150 MHz FSB (300 MHz effectively).

------- What is PC2400 exactly?

PC2400 describes the memory''''s data transfer rate of 2400 MB/sec (2.4 GB/sec) on a 64-bit bus rather than its MHz speed, the current PC2100 memory transfer rate are 2100 MB/Sec (2.1 GB/sec), therefore the PC2400 name sound reasonable.

PC2400 is Non-Jedec Standard

PC2400 is not approved or endosed by JEDEC infact its a clever marketing campaign developed by enterprising memory resellers to spur demand for memory sales during this slow season.

What PC2400 offers are its guarantee that the memory module will run beyond its published specification.

----- OverClocking

PC2400 DDR is designed for use with CPUs which run on a 133MHz FSB (266MHz DDR) which is known to run stable when the CPU Front-Side-Bus (FSB) is overclocked to a 150MHz (300MHz DDR) FSB. The latest VIA P4X266 DDR chipset with the Intel Pentium 4 CPU can be overclocked to 160Mhz FSB(320Mhz effectively).

PC2400 DDR memory must use DDR-266 “A Grade” memory chips, which are usually rated for CAS2 latency operation at 266MHz. These DDR modules are usually programmed for CAS 2.5-3-3 operation at 300MHz via the serial presence detect (SPD) EEPROM.

The following picture shows an example of how a PC2400 DDR memory module could be package with a Heat-Spreader similar to Rambus modules.Running at 300Mhz - the DDR SDRAM chips gets heat up very quickly and may caused the memory be unstable - therefore a Heat-Spreader may be neccessary to dissipate heat quickly and to protect the module from overheating. You will find many other PC2400 memory may be sold without a heat-spreader.The price for PC2400 rated memory module are slightly more expensive than PC2100 memory module.

--------------------------- Recognizing DDR Memory Modules

The toughest thing in the memory business is to recognize a memory module for its configuration, density, speed and thus its value. While memory modules do look alike, their number of megabyte and their compatibility to your computer might be totally different. It is, therefore, important to develop a quick method of recognizing memory modules.

To make it easy to understand, we will limit our subject to the new DDR memory modules. Although JEDEC (memory industry standard setting committee) and AMII (memory technology enabling) have published detail specifications on DDR memory modules, they are too complicate for the average PC technician and memory merchant. This article attempts to guide you through the process in easy-to-understand language to achieve quick results.

                                

                                                     Dimension : 5.375” x 1.375”

A dual inline memory module (DIMM) consists of a number of memory components that are attached to a printed circuit board. The gold pins on the bottom of the DIMM provide a connection between the module and a socket on a larger printed circuit board. The pins on the front and back of a DIMM are not connected, providing two lines of communication paths between the module and the system.

184-pin DIMMs are used to provide DDR SDRAM memory for desktop computers. Each 184- pin DIMM provides a 64-bit data path, so they are installed singly in 64-bit systems. 184-pin DIMMs are available in PC1600 DDR SDRAM or PC2100 DDR SDRAM.

The number DDR components on a 184-pin DIMM may vary, but they always have 92 pins on the front and 92 pins on the back for a total of 184. 184-pin DIMMs are approximately 5.375" long and 1.375" high, though the heights may vary. While 184-pin DIMMs and 168-pin DIMMs are approximately the same size, 184-pin DIMMs have only one notch within the row of pins.

A DDR SDRAM DIMM will not fit into a standard SDRAM DIMM socket.

A Note on Registered and Unbuffered Modules:

Consumer class of personal computer usually have 2 to 3 DIMM sockets and is for limited amount of memory only. The electrical loading on these 2 to 3 modules are usually tolerated by the motherboard with some compromise on performance. The memory module they use in this case is called Unbuffered DIMM which is cost optimized for the consumer applications. On the contrary, server class of personal computer must have huge amount of memory with high performance. Up to 8 DIMM sockets are usually designed into a server. In this case, signal buffering and timing lineup is necessary to keep the integrity on the high- speed memory access signals. A signal shaping circuit including registers and phase-lock-loops are required to be on the DIMM module. This kind of module is called the Registered DIMM.

Each of the above Web sites had included 3 available DIMM PCB designs they named as RawCard A, B and C. They are the DIMM PCB designs presented in a commonly acceptable format called “Gerber”. With these sets of “Gerber” files, any memory producer can produce PC boards in uniform nature.

Diagram of Registered RawCard A , single Bank x 64 

           

Diagram of Registered RawCard A , single Bank ECC

    

           

cейчас на рынке появились модули, заявленные как PC-166. Такие модули встречаются на московском рынке, например, под маркой Tomicom. Несколько таких модулей прошло через мои руки, и я могу с полной ответственностью сказать, что на частоте 150 МГц они работают вообще безо всяких проблем.

22/05/2002                                             Модули памяти Transcend для i850E

Transcend заявила о начале выпуска новых модулей памяти, специально предназначенных для использования с материнскими платами на базе представленных недавно чипсетов Intel i850E. Новинки с ёмкостью от 128 до 512 мегабайт соответствуют стандарту PC800, имеют скорость выборки 40 ns, поддерживают платы Intel D850EMD2 и D850EMV2.

Также компания предлагает модули PC1066 со скоростью выборки 32 нс и ёмкостью 256 Мб.

2/25/02                          DDR333 - Migration to the Mainstream

The market has recently seen a trickle of early DDR333 platforms appear on the scene. Although the performance of these platforms has varied, there appears to be a groundswell of enthusiasm building for the new PC2700 memory standard. While we were initially uncertain how VIA’s DDR333 implementation would perform, we have been pleasantly surprised by its performance profile in several key tests. We expect VIA’s new KT333 platform to play a major role in building momentum behind the DDR333 standard.

The introduction of VIA’s KT333 also ushers in a new dynamic for AMD platforms. For the first time, DRAM performance exceeds Athlon’s 266 MHz front side bus. The performance impact of this combination appears to be quite good and we expect OEMs and enthusiasts to welcome this compelling solution.Despite the apparent enthusiasm for DDR333, some pundits have questioned the viability of DDR333 as a mainstream memory solution for the desktop. We will discuss this matter in some detail below before we attempt to quantify the potential performance impact of PC2700.

Main Memory Migration

DDR266 is now at the center of the market. As DRAM manufacturers enjoy excellent yields, some currently over 80% for DDR266 (CL2.5) and over 25% for DDR266 (CL2), prices have decreased to very attractive levels. With Intel finally jumping on the DDR bandwagon (a year behind VIA), there is now a unified front of DDR266 platforms across the market.

This scenario furnishes the perfect backdrop for the next major memory speed grade introduction. DDR333 has been on the roadmap for some time, however the market has become somewhat distracted by the prospect of DDRII coming on the scene as early as Q103. This would leave a very narrow period in which to yield 333 in any serious volumes before DRAM makers shift their attention toward DDRII. Some have wondered if this could relegate DDR333 to be a short-lived, low-volume, high-end, niche product. We don’t think so.

The longevity of DDR as the mainstream standard has been bolstered lately due to some recent confusion over the future of DDRII. Several months back, the market seemed on track for a clear and potentially rapid transition to DDRII in early 2003. However, the Intel led ADT group posed its design requirements to JEDEC as a derivative of the DDRII specification. This specification is sometimes referred to as DDRII-A (A for ADT). It differs from DDRII in terms of I/O voltage, burst length and several other attributes that are intended to allow it to operate at speeds up to 800MHz.

This has raised the prospect of a prolonged debate inside JEDEC to determine if the industry will move forward aggressively with the original DDRII specification, or if JEDEC will substantially delay DDRII to accommodate Intel’s requirements. While the original schedule for DDRII would have accommodated a rollout in Q1 2003, we are concerned that it might be delayed until late 2003 or perhaps much later. If so, this would create a generous market window for DDR333, as seen in the Memory Migration chart below.

What about DDR400?

With the prospect of a delayed DDRII launch, DRAM makers and chipset makers must seriously consider the development of DDR400 soon after DDR333 gets off the ground. But the extremely high clock speed of DDR400 will demand another set of design trade offs in order to satisfy system configuration concerns. It seems unacceptable to limit system capacity to just a single DIMM, so other options will have to be considered. Among them will be a complete transition to the FBGA package for DRAM ICs, or to change to the SO-DIMM to reduce signal fan out, and use a surface mount SO-DIMM connector on the motherboard. Even with these possible changes, it may be necessary to manufacture the first generation of boards as 6-layer designs, until the technology can be mastered to cost reduce to 4 layer designs. Even with some combination of these changes, DDR400 may be interesting enough to find its way into volume production some time in 2003.

Q. Мать VIA Apollo 5VPX2 "видит" 64-мегабайтные модули DIMM, как 16-мегабайтные.?

A.- выкинув или продав имеющиеся модули и купив взамен другие, однобанковые.

Q. как совместимы между собой модули DDR? Можно ли поставить один модуль, допустим, PC2700, а другой — PC2100? Можно ли будет поставить на мамку модули, которые планируют выпускать в будущем — более высокой частоты?

A.Чипсет KT266A (7VTXE+) не поддерживает память PC2700. Под этим утверждением подразумевается, что плата не может тактировать память на частоте 166 МГц в штатном режиме, когда процессорная шина имеет частоту 133 МГц. Эта возможность есть у чипсета KT333. Тем не менее, модули PC2700 на этой плате будут работать без проблем, так как они отличаются от PC2100 только более высоким качеством микросхем. Что касается модулей будущего, то они будут построены по архитектуре DDR-II, не совместимой с нынешней DDR-I.Смешивать модули памяти можно. Со старыми платами и памятью были проблемы, сейчас все нормально с совместимостью.

Q. Будет ли PC2100 работать вместе с PC2700? Материнская плата поддерживает оба вида памяти.

A.Работать-то будет, но либо как PC2100, если разогнать DDR266 до DDR333 не удастся, либо как PC2700 - если получится. С разной скоростью разные модули на одной материнке работать не будут.

DDR400

Xочется отдельно остановиться на том, как же эти чипсеты работают с DDR400 памятью.

Однако начать надо с того, что стандарта DDR400 SDRAM пока не существует. JEDEC лишь недавно одобрил спецификацию DDR333, а DDR400 – это, фактически, лишь «полуофициальный разгон» DDR333 с частоты 166 МГц до 200 МГц. Т.е., наименование DDR400 придумано производителями чипсетов и памяти и означает, что DDR SDRAM, помеченная таким образом, попросту хорошо разгоняется.

В то же время перспективы возможного утверждения спецификации DDR400 в качестве индустриального стандарта выглядят сегодня весьма туманными. JEDEC утверждает, что обычная DDR400 память не может стабильно работать на столь высокой частоте, и поэтому назрел переход на новую технологию DDR-II, использующую несколько иные сигнальные протоколы и напряжение питания.

С JEDEC полемизирует Samsung, являющийся одним из ведущих поставщиков чипов памяти и, соответственно, главным идеологом DDR400. По словам этого производителя, компанией уже освоен выпуск DDR-чипов, стабильно работающих на частоте 200 МГц (400 МГц DDR). Тем не менее, тут я должен оговориться о том, что, несмотря на то, что DDR400 и имеет гигантскую пропускную способность 3.2 Гбайта в секунду, реальная производительность модулей DDR400 может оказаться не столь высока, как того хотелось бы. Дело в том, что для обеспечения стабильной работы DDR400 SDRAM производителям этой памяти приходится увеличивать ее латентность. В результате, если типичные модули DDR266 памяти, продающиеся в данный момент, имеют CAS Latency равную 2, а DDR333 модули – 2.5, то модули DDR400, выпускающиеся в настоящее время, в большинстве случаев способны работать только лишь с CAS Latency равной 3. Поэтому производительность систем с DDR400 памятью может оказаться ниже, чем аналогичных систем, с использованием DDR333 SDRAM.

1 Гб модули Unbuffered DDR SDRAM от Elpida

Oбъявленные Elpida поставки образцов 1 Гб модулей Unbuffered DDR SDRAM являются решениями для использования в рабочих станциях и high-end ПК, вып. в стандартном 184-контактном корпусе.

Двухбанковые модули выполнены на 512 Мбит чипах DDR, изготавливаемых с применением технологических норм 0,13 мкм, и представлены в двух версиях: с поддержкой ECC (EBD11ED8ABFA , 128 Мбит х 72) и non-ECC (EBD11UD8ABFA 128 Мбит х 64).

Новые модули имеют интерфейс SSTL-2, напряжение питания 2,5 В ± 0,2 В, их размеры составляют 133,35 х 31,75 х 4,00 мм. Модули будут соответствовать спецификациям памяти DDR PC2100 (– до 2,1 Гб/с), CAS Latency = 2 и 2.5. Начало производства модулей – октябрь 2002 года.

Помимо этого, сегодняшний пресс-релиз компании содержит заявление, что в самые ближайшие дни Elpida намерена приступить к массовым поставкам 512 Мб модулей DDR SDRAM PC 2700 на 0,13 мкм 512 Мбит чипах DDR SDRAM (х8) с CAS=2.5.

Q. SiSoft Sandra выдала следующее: в категории memory modules: memory modul 2 64 Mb 8x(8Mx8) SDRAM CL3 PC100-322-622.?

A.8x(8Mx8) — это организация модуля памяти: восемь чипов разрядностью 8 бит и глубиной адресации 8 Мбит. То есть память построена по старой технологии 64 Мбит. После PC100 указаны тайминги: CL=3, tRCD=2, tRP=2 — это стандартные характеристики для PC100. При покупке памяти нужно обращать внимание на совместимость с вашей платой. Грубо говоря, платы под Pentium-1 будут работать с 32-Мбитными чипами (64 Мб в 16 чипах), в случае более емких микросхем модуль памяти будет использоваться не полностью. PC66/PC100/PC133 — это один стандарт SDRAM, он тут не при чем.

Q.при установке памяти более 128 Mb производительность компьютера падает в два раза. С одной линейкой на 128 Mb работает нормально. Память — две одинаковые линейки NCP 128 Mb PC 133. Были опробованы линейки памяти и других производителей — эффект тот же (материнская — Chaintech 5AGM2; процессор AMD K6-2 — 500МГц).

A. проблема — в кэше второго уровня, который установлен на материнской плате. Особенность его в том, что он работает только с ограниченным объемом памяти. Поэтому при добавлении памяти кэш отключается, что незамедлительно сказывается на работе системы.

30.08.02

На полках компьютерных магазинов появилась память Geil PC3500 Platinum серии. Это 433 Мгц DDR модули (и ниже). Чипы изготовлены по элитным и дорогим технологиям. Память прошла самую строгую проверку. Цена пока не заявлена, но должна быть космическая. Некоторые характеристики:

4.5нс GEIL GL2000

Пожизненная гарантия

6 слойные PCB

До 512Mб

184пин

32x8 низкой плотности

CAS 2.5 6-3-3 2T @ DDR433 PC3500

CAS 2 6-3-3 1T @ DDR400 PC3200

CAS 2 5-2-2 1T @ DDR333 PC2700

2.7в-3.1в

10.10.02

На прилавках компьютерных магазинов вскоре появится новый продукт Geil PC3500 Ultra CAS 2. Эти модули могут работать на частоте 433 Мгц. Базой для них служат чипы 4.5нс GEIL GL2000. В продажу поступят модули объемом до 512 Мб.Напряжение питания колеблется в зависимости от модели от 2.5 В до 3.1 В.

Модуль памяти Geil PC3500 Ultra CAS 2

Q. SL75KAV в паре с CPU Duron 700. Прошивка BIOS Q8.1. Память 256 Мб ( 2 x M.tec 128 Мб ). ОК, за исключением некоторых вещей.После полугода эксплуатации добавляется второй модуль памяти. Утилита testmem для 256 Mб в легком тесте (50 циклов) дает ошибки на 48-49 шагах. Если же проводится тест для каждого отдельного модуля 128 Mб в длительном режиме (2000 циклов и всякие фичи), то ОК. С другой стороны, Win98SE работает вроде нормально, но - если есть изменения в реестре , после перезагрузки ОС сообщает, что ошибки в реестре и будет востановление из резервной копии - большая часть ПО не работает корректно после каждого запуска ОС. При использовании утилиты freememory (очистка) объем free memory уменьшается ровно на 1 Мб и ПО работает на ура. В чем тут дело?

A.Скорее всего, вы просто завысили возможности памяти, заставив ее работать в режиме 133 - 2-2-2. Попробуйте понизить тайминги. Если не помогает, то дело в слабом блоке питания или в глючном преобразователе питания на матери. Тогда для начала проверьте, например, с помощью утилиты MBM, уровень напряжения 3,3 В. Возможно, он много ниже тех самых 3,3 В. Чуть повысьте его. Если все нормально - попробуйте заменить блок питания на более мощный или просто более новый. Подобная проблема встречалась мне на многих машинах с дешевыми китайскими питальниками.

Q. DIMM 256 MB PC 133, а комп видит только половину?(ASUS P3-BF)

A. мама эти 8 чипов памяти по 32мб опредяляет, как 8Х16мб, то есть 128мб:надо поминять оперативку на 2-х стороннюю (16 чипов по 16мв, по 8 на каждой стороне модуля памяти).

04 октября 2002 г.              Intel начала ратификацию RDRAM PC1066

Согласно появившейся недавно официальной информации на сайте компании Intel, ею уже начата процедура ратификации модулей памяти RDRAM PC1066, которые поддерживаются широко известным набором логики i850е, являющимся сегодня наиболее новым чипсетом, работающим с памятью RDRAM.

На данный момент в списке находятся только модули производства компании Samsung, однако можно с уверенностью сказать, что постепенно туда будут добавлены и другие фирмы.

 07 октября 2002 г ATI разрабатывает собственный стандарт графической памяти

ATI Technologies объявила, что ею совместно с рядом производителей DRAM разрабытвается собственный стандарт графической памяти GDDR-III, являющйся альтернативой DDR-II.

256МБ двухсторонние модули которые вам подойдут:

Kingston Memory (на базе чипов Samsung) : KVR133x64C3/256 (K4S280832A- TC75) ;

Micron Technology: MT 48LC16M8A2

Хотя на наклейке может быть напечатано 8х16 или 16х8 (16х8=128 вроде бы 128 бит технология),

проверено, на VIA693, i440BX эти двухсторонние модули читаются как 256МБ и прекрасно работатают.

26.11.2002 Micron выпускает DDR SDRAM DIMM модули для принтеров...

Компания Micron выпустила официальный пресс-релиз, в котором сообщила о выпуске DDR SDRAM DIMM модулей с урезанной вдвое шиной данных - 32 бита. Модули с такой разрядностью используются в принтерах, а также сет-топ-боксах (STB, Set Top Box - видеомагнитофоны, а также прочие устройства, которые можно установить "на телевизор"), тогда как DIMM модули для ПК имеют шину данных 64 бита.

В принципе, до сего момента в принтерах и STB использовалась обычная SDRAM память, и никаких неудобств производители при этом не испытывали. Однако, индустрия весьма быстрыми темпами переходит на DDR SDRAM, и в рамках этого перехода данная память начинает появляться и в других цифровых устройствах, отличных от ПК.

Модули 256MB DDR SDRAM 32-bit DIMMs (MT8VDDT6432U), 128MB DDR SDRAM 32-bit DIMMs (MT4VDDT3232U) DDR SDRAMs, 64MB DDR SDRAM 32-bit DIMMs ( MT2VDDT1632U) и 32MB DDR SDRAM 32- bit DIMMs (MT2VDDT832UG) уже доступны для заказов в ограниченных количествах (sample quantity), а 512MB DDR SDRAM 32-bit DIMMs (MT8VDDT12832UG) будет доступен в первом квартале 2003 года. Все модули доступны как в DDR266, так и в DDR333 вариантах (максимальная теоретическая пропускная способность - 1.05 ГБ и 1.35 ГБ соответственно).

Модули "PC3700" DDR SDRAM - уловка от GeIL...

PC3700

Не удовлетворившись выпуском модулей памяти с теоретической пропускной способностью 3.5 ГБ/сек, GeIL (Golden Emperor International Ltd) анонсировала еще две свои новинки, на этот раз называемые "PC3700" (466МГц).

Модуль серии Platinum в сборе                                К сожалению, я так и не смог понять, чем же еще, помимо внешнего вида, отличаются модули серий "Golden Dragon" и "Platinum". Зато я отчетливо понял, что высокая частота была достигнута с помощью тех же самых ухищрений, что использовала и OCZ Technology. Если тайминги "PC3500" модулей GeIL составляли вполне приемлемые 2-3-3-6-1 (CAS Latency- RAS Precharge - RAS-to-CAS Delay - RAS Active to Precharge - Command Rate), то у новых "PC3700" модулей (обеих серий) - только 2.5-3-3-7-2. Как мы видим, увеличилось не только самое важное значение CAS Latency, но еще и два других параметра, включая довольно важный (только в масштабах производительности памяти, ибо на общую производительность системы все эти параметры, включая и тактовую частоту памяти, влияют весьма незначительно) Command Rate.

Собственно, сравнивая параметры "PC3500" и "PC3700" модулей от GeIL, можно предположить, что система с "PC3500" памятью будет в большинстве случаев просто быстрее, чем с "PC3700", так что смысла в выпуске подобных "уловок" я не вижу в принципе.

Впрочем, если кто-то заинтересовался, то поставки модулей серии "Platinum" начнутся в середине декабря, а "Golden Dragon" - в первом квартале 2003 года (максимальный объем модулей в обеих сериях - 512 МБ).

"Первые DIMM SDRAM изготавливались по 16M-битной технологии, т.е. каждая микросхемка на модуле DIMM давала 2M. стандартный 8-чиповый (односторонний) DIMM был ёмкостью в 16M, а 16-чиповый (двухсторонний) - 32M. Только именно такие (с плотностью 16Mbit) и поддерживали первые платы с SDRAM (i430VX, VIA Appolo VP, SiS5571). При попытке установить на них 64Мбит-модули чипсет не может корректно адресовать всю память из-за того, что адресных линий у них лишь 12 ("64М-битные" чипсеты имеют 14, а "256М-битные" - 15 линий адреса). И если организация памяти современного модуля, например, 14строк на 10 столбцов, то в результате плата "увидит" лишь часть памяти (ту, на сколько чипсету "хватит" адресов). В принципе, если бы внутренняя структура памяти была бы не 14х10, а 12х12 (2^14*2^10=2^12*2^12), то проблемы б не было, но сейчас используется лишь "ассиметричная" организация модулей DIMM. В этом кроется суть проблемы определения платами на i430VX DIMM 64M как 16M. Что интересно - самое распространённое (и ошибочное) мнение по этой проблеме - мол, это из-за того, что он (DIMM) "PC100/PC133", надо искать "старые DIMM 64M PC66". А всё именно из-за того, что такие платы не поддерживали модули памяти с чипами более чем 16Мбитной ёмкости, а все современные имеют чипы 64Мбит (8Мбайт) и более. А не из-за того, что он с поддержкой PC100/PC133. При чём последние на них хоть и "видятся" не полностью (PC100 16M/32М - полностью), прекрасно работают, просто должны быть, опять же, "стандартными", т.е. односторонними 8- или двухсторонними 16-чиповыми."

26/12/2002                               TwinMOS представила 1 Гбайт Registered DDR DIMM

Компания TwinMOS Technologies Inc. представила 1 Гбайт Registered DDR DIMM с контролем и коррекцией ошибок ECC, совместимые с серверными платформами на чипсетах Intel, AMD и Server Work.

Модули, к которым предъявляются повышенные требования по стабильности, выполнены на тщательно проверенных компонентах. Печатная плата 8-слойная, со 184 гальванизированными краевыми разъемами (30µ).

Как водится, в терминах архитектуры модули выполнены в соответствии со всеми требованиями JEDEC во избежание интерференции сигналов и для гарантированной стабильности систем с этими модулями. Конфигурация чипов модулей - 64Mx4 (x36), CL=2; 2,5. Максимальная пропускная способность - 2,1 Гбайт/с.

03.02.2003                                                          Массовый приход DDR2 откладывается до 2005 года...

К такому выводу пришли многие из участником прошедшей Platform Conference. Разумеется, речь идет о DDR2-памяти, как о системной памяти, поскольку приход DDR2 в видеоплаты состоится уже очень скоро - с началом поставок плат на основе видеопроцессора NV30. А вот с системной памятью все обстоит не так гладко и вот по каким причинам:

Но, как говориться, не все потеряно. Выделяется на общем фоне Samsung Electronics как, впрочем, и положено лидеру рынка. Компания заявляет о том, что DDR400 (на основе DDR1) и память на основе DDR2 прекрасно могут сосуществовать на рынке и собирается начать массовый выпуск модулей DDR2 уже в 2004 году. Кстати, Samsung в свое время являлся чуть ли не единственным производителем памяти, продвигающим DDR400 в качестве стандарта.

Попутно Samsung заявила о том, что процент микросхем, способных работать как DDR400 (с какой CL, жаль, не сказано) сейчас составляет примерно 40 процентов от общего количества микросхем памяти, а через год составит уже 60 процентов, что самым благоприятным (для пользователей) образом скажется на цене соответствующих модулей. 13/02/2003                    Mushkin представила PC3500-модули оперативной памяти

Нашим читателям уже хорошо известна фирма с занятным для русскоговорящего населения названием Belkin, которая занимается выпуском самой разной компьютерной периферии. Однако, новость эта не о ней, а о другой фирме, именующейся еще более забавно - Mushkin, а если более подробно, то Mushkin Enhanced Memory Systems. Дело в том, что Mushkin анонсировала 256-мегабайтные модули памяти Unbuffered PC3500, позиционирующиеся как качественный "оверклокерский" продукт.

PC3500
Тайминг новой памяти от Mushkin - 2.5-4-4; сам модуль, как и платы с Rambus-памятью, выполнен на шестислойном PCB и оснащен медным радиатором для охлаждения чипов. Время доступа составляет 5 мс, тактовая частота - 433МГц. Ориентировочная розничная стоимость - $130.

15.02.2003  О значительных успехах в области создания магнитной памяти также сообщила компания NEC, представившая на этой неделе новую микросхему так называемой магниторезистивной памяти (MRAM) Напомним, что именно MRAM считается сегодня наиболее перспективным типом памяти, поскольку обладает такими существенными достоинствами как энергонезависимость и очень высокая скорость работы, сравнимая со скоростью DRAM. Кроме того, MRAM выдерживает сколь угодно большое число циклов перезаписи. Что касается новой микросхемы, представленной на проходящей в Сан-Франциско конференции Общества инженеров электроники и электротехники (IEEE), то она использует узловые (cross-point - CP) ячейки памяти и имеет емкость в 512 кб. Экспериментальная микросхема MRAM изготовлена по 0,25-микронной КМОП-технологии и 0,6-микронной технологии MRAM. Структура ячейки памяти включает в себя числовую шину (word line), разрядную шину (bit line) и магнитный туннельный переход (MTJ). Дальнейшие работы над MRAM NEC будет вести в сотрудничестве с Toshiba.

18.02.2003                              Pseudo SRAM будет работать в пакетном режиме...

Сегодня три не самые маленьких японских компании (Fujitsu, NEC и Toshiba) внесли очередные коррективы в спецификации совместно продвигаемой ими псевдостатической RAM (PSRAM). До сих пор из всей троицы только компания Toshiba делала попытки начать производство PSRAM, но пока реально и она дальше активного обсуждения возможных вариантов спецификаций PSRAM не продвинулась.

Напомню, что Pseudo Static Random Access Memory (PSRAM) – это память со структурой и размером ячеек, как у обычной DRAM-памяти, но с внешним интерфейсом, как у асинхронной SRAM-памяти. Такой подход позволяет говорить о недорогих по исполнению высокоемких чипах памяти, быстродействие которых находится на одном уровне с более дорогой и более быстрой SRAM. Подобная память ориентирована на установку в мобильные цифровые устройства, где важны и емкость, и быстродействие.

История PSRAM началась в сентябре 1998 года, когда три вышеназванных компании объявили о разработке технологии MCP (Multi-Chip Package). Тогда в один корпус чипа памяти, собранного по MCP-технологии, были помещены две независимых микросхемы объединенных общим интерфейсом: SRAM-памяти и флэш-памяти. А в марте 2002 года увидела жизнь практически законченная спецификация на PSRAM. Все три компании имели на нее равные права и собирались выпускать новую память независимо друг от друга. Новые PSRAM-продукты должны были появиться в первой половине 2002 года. Но не появились.

Представленное сегодня компаниями Fujitsu, NEC и Toshiba дополнение к прошлогодним спецификациям PSRAM будет описывать работу интерфейса этой памяти в пакетном режиме (ранее описывался только страничный режим чтения/записи информации из памяти). Таким образом, максимально возможная пропускная способность PSRAM будет еще больше увеличена. Предполагается, что новые спецификации получат звучное название "COSMORAM" (Common Specifications for Mobile RAM). Определены и новые сроки начала производства PSRAM. Согласно сегодняшнему пресс-релизу, новая память появится в первой половине 2003 года.

19 февраля 2003 г.             Crucial PC3200 DDR SDRAM уже на прилавках

Компания Crucial начала продажи новых модулей памяти PC3200 DDR SDRAM, так же известных под именем DDR400. Одновременно доступны планки размером 256 Mб и 512 Mб. Немного спецификаций:

256 Mб - CT3264Z403, DDR PC3200, CL=3, Non-parity, 2.5V, 32Meg x 64 и

512 Mб (CT6464Z403, DDR PC3200, CL=3, Non-parity, 2.5V, 64Meg x 64.

Стоимость составляет соответственно $78.99 и $148.99.

PC3200

Оптимизация работы памяти DDR266 (PC2100)

Дата: 03/08/2002

Особый интерес представляет возможность повысить производительность системы с помощью настройки работы памяти (другой часто используемый термин "твикинг" памяти, от tweaking). Соответствующее иследование мы провели на примере платы Abit KX7-333, как имеющей один из самых богатых наборов различных настроек памяти доступных через BIOS.

В тестовой системе было использовано следующее оборудование:

Для демонстрации возможностей тонкой настройки памяти использовался тест Sisoft Sandra 2002 и игра Quake3 (производительность которой очень сильно зависит от пропускной способности памяти). Для большей наглядности я буду изменять каждый параметр отдельно и приводить значение производительности.

Bank Interleave - 2 Bank

Изменяем параметр Bank Interleave, устанавливаем значение 2 Bank. Вообще этот параметр предназначен для управления доступом к открытым банкам памяти. Возможные значения: None, 2 Bank, 4 Bank (иногда 2-Way/4-Way). Наиболее производительным является 4 Bank.

ТестЗначение
Sandra (Int)1911
Sandra (Float)1791
Quake3 (Fastest)222,9 fps

Bank Interleave - 4 Bank

Изменяем параметр Bank Interleave, устанавливаем значение 4 Bank.

ТестЗначение
Sandra (Int)1925
Sandra (Float)1806
Quake3 (Fastest)227,3 fps

DRAM Command Rate - 1Т

Далее изменяем параметр DRAM Command Rate. Устанавливаем значение 1Т, при этом оставляем Bank Interleave равным 4 Bank. Параметр DRAM Command Rate появился еще в чипсете KT266. С его помощью мы можем вручную изменять задержки при передачи данных между чипсетом и памятью. Возможные значения 2T, 1T (наиболее быстрым является 1Т). Отметим, что это один из тех параметров, которые существенно влияют на производительность подсистемы памяти.

ТестЗначение
Sandra (Int)1965
Sandra (Float)1864
Quake3 (Fastest)235,0 fps

CAS Latency - 2Т

Следующим изменяем параметр CAS Latency. Устанавливаем значение 2Т, при этом остальные настройки не трогаем (т.е. Bank Interleave=4 Bank, DRAM Command Rate=1Т). CAS Latency - это то количество тактов, через которое память реагирует на запрос чтения. Чем меньше это значение, тем лучше. Возможные варианты: 2.5Т, 2Т. Наиболее важный, с точки зрения производительности, параметр работы памяти.

ТестЗначение
Sandra (Int)2024
Sandra (Float)1901
Quake3 (Fastest)239,7 fps

Итак, мы имеем оптимально настроенную подсистему памяти, с точки зрения стабильности и скорости. Однако, если Вы имеете качественную память, то изменяя параметры Trp (Precharge to Active), Tras (Active to precharge) и Trcd (Active to CMD), мы можем получить еще небольшую прибавку в скорости.

Trp =2T, Tras=5T и Trcd=2T

Модуль памяти 256 Мбайт PC2100 DDR SDRAM, производства Samsung, за все время тестирования (был куплен в январе этого года) зарекомендовал себя самым положительным образом. Поэтому я смело установил следующие значения: Trp =2T, Tras=5T и Trcd=2T (значения по умолчанию 3Т, 6Т и 3Т).

ТестЗначение
Sandra (Int)2039
Sandra (Float)1906
Quake3 (Fastest)245,0 fps

Итак, после тонкой настройки памяти прирост производительности составил ~7.5 процентов по тесту Sandra и более 12 процентов в игре Quake3!

DDR333 (PC2700)

А теперь давайте посмотрим, что может дать установка памяти в режим DDR333 (или PC2700). Тестовый модуль памяти смог заработать на такой частоте только на следующих таймингах:

ТестЗначение
Sandra (Int)2052
Sandra (Float)1932
Quake3 (Fastest)255,1 fps

Сводная таблица

Для более удобного восприятия этой информации, я оформлю результаты в виде таблицы:

NoЧастота

FSB \ MEM

(Мгерц)

ТаймингиSandraQuake3 (fps)Прирост в Q3(%)Частота

процеcсора

(рейтинг)

1133\133Dis, 2T, 2.5T-3T-6T-3T1907 / 1776218,1-XP 1600+
2133\1332 Bank, 2T, 2.5T-3T-6T-3T1911 / 1791222,92,2XP 1600+
3133\1334 Bank, 2T, 2.5T-3T-6T-3T1925 / 1806227,34,2XP 1600+
4133\1334 Bank, 1T, 2.5T-3T-6T-3T1965 / 1864235,07,7XP 1600+
5133\1334 Bank, 1T, 2T-3T-6T-3T2024 / 1901239,79,9XP 1600+
6133\1334 Bank, 1T, 2T-2T-5T-2T2039 / 1906245,012,3XP 1600+
7133\1664 Bank, 1T, 2T-3T-6T-3T2052 / 1932255,116,9XP 1600+
8166\1664 Bank, 1T, 2T-3T-6T-3T2426 / 2272307,240,8XP 2100+

Выводы

Стандартными настройками являются следующие параметры:

Поэтому конфигурации с 1 по 4 интересны только с теоретической точки зрения. Правда иногда неопытные сборщики не выставляют правильные параметры, и пользователь теряет значительную часть производительности. В другом случае, попытка сэкономить деньги на качестве оперативной памяти так же приводит к потере до 5-10% производительности. Причем это очень большие цифры; для примера разница в 5-10 fps в тесте Quake3 (Fastest), это разница между процессорами XP1600+ и XP1700+ (разница в рейтинге 100, в реальной частоте процессора - 66Mhz).

Обратите внимание на разницу в производительности 5 и 7 конфигурации, она приблизительно равна 6.5%. Это приблизительный прирост производительности при переходе на DDR333 (пример: апгрейд с KT266A на KT333).

Обращаем внимание на последнюю строчку - на показатели теста Sandra. Вот какой значительный прирост производительности можно получить, установив синхронный режим работы процессора и памяти (166 и 166 Mhz). Показатели теста Quake3 здесь беcполезны, так как процессор разогнан с 1400 до 1750 Mhz.

В этом режиме отсутствуют задержки при согласовании сигналов и, начиная с частоты 166 Мгерц, используется делитель 1/5 для частоты PCI (2/5 для AGP), что автоматически означает работу контроллера жестких дисков на стандартной частоте PСI (33 Mhz).

Естественно, весь этот материал имеет ценность только для компьютерного энтузиаста, цель которого - выжать максимум из имеющегося в наличии железа. А для большинства обычных пользователей, я думаю, вполне достаточно знать то, что можно установить все тайминги в значения, определенные производителем памяти. Для этого предназначен параметр "DRAM Timing". Возможные значения: "Manual" - параметры устанавливаются вручную, "By SPD" - устанавливаются по умолчанию (SPD = Serial Presence Detect). Конечно, производители памяти немного подстраховываются и несколько завышают тайминги работы. В результате производительность несколько меньше, чем при ручной установке параметров.

Как может заметить читатель, я изменял не все имеющиеся в нашем распоряжении параметры. А параметров работы памяти у платы Abit KX7-333 наибольшее количество (больше чем у плат Epox). Скажу следующее - все рассмотренные параметры есть практически в каждой плате среднего и высшего класса, этакий "джентльменский набор". Другие параметры (за исключением Queue Depth) - это довольно специфические параметры, которые слабо влияют на производительность, но иногда очень полезные для улучшения стабильности работы памяти разных производителей (есть даже такие тонкости) и работы в разных конфигурациях модулей памяти.

И последнее. Для достижения стабильной работы при агрессивных (низких ) таймингах очень полезно повышать напряжение на памяти (Vmem). Правда, при этом повышается тепловыделение, но для предотвращения перегрева можно использовать радиаторы для памяти.

Оверклокеру важно помнить и то, что очень часто препятствием для разгона становится неспособность памяти работать на высоких частотах. Поэтому, иногда есть смысл повысить тайминги памяти (производительность чуть упадет), но за счет этого появляется возможность достигнуть более высоких частот FSB (возросшая частота процессора даст куда большую прибавку производительности).

20 февраля 2003            Чипы памяти DDR400 от Samsung, Infineon, Hynix и Elpida прошли тесты Intel 

Сразу четыре компании объявили о том, что их чипы памяти DDR400 прошли тесты Intel на совместимость с новым чипсетом Springdale, поставки которого начнутся во второй половине этого года.

Прошедшие испытания 256-мегабайтные модули DDR400-памяти Hynix уже готовы к массовому производству, партии их уже были отгружены OEM-партнерам компании. В ближайшем будущем испытания на совместимость с Intel Springdale пройдет память объемом 512 Мб, опытные образцы которой также уже выпущены компанией.

Infineon Technologies испытала целых три модуля памяти – объемом 128, 256 и 512 Мб, которые готовы к промышленному производству. Модули того же объема испытывала и корейская Samsung, которая стала пионером рынка DDR400, выпустив первые образцы памяти, созданной по этой технологии, еще в конце прошлого года. Ну а японская Elpida испытывала один 256-мегабитный модуль памяти, существующий пока только в виде опытных образцов.

Как ожидают компании-производители, самая быстрая на сегодняшний день память DDR400 быстро найдет себе применение и к концу этого года станет стандартной в высокопроизводительных серверах и рабочих станциях.

23 февраля 2003 г.                          Infineon занялся производством DDR400

Компания Infineon представила новое семейство памяти. Это небуферизованные DDR400 DIMM модули объемом 128 Mб, 256 Mб и 512 Mб. Чипы выполнены согласно JEDEC PC3200 3.2 Гб/с спецификациям по 0.14 микронному техпроцессу.Стоимость новых решений будет лежать в диапазоне от 30 до 100 долларов.

DDR400 Как Intel видит развитие рынка памяти...

Продолжают поступать интересные новости и прогнозы с Intel Developer Forum. Хочу предложить Вашему вниманию слайд, отражающий мнение корпорации Intel относительно того, как будет развиваться рынок системной памяти в ближайшие два года:

Рынок памяти по версии Intel

Рынок памяти по версии Intel

Итак:

На последнем пункте мне хотелось бы остановиться несколько подробнее. Дело в том, что некоторое время назад мы сообщали Вам о том, что многие производители памяти настроены весьма скептически в отношении начала массового производства DDR2 в 2004 году. Причины этого вкратце заключались в том, что рынок будет не готов принять большое количество новой памяти по причине отсутствия потребности в ней, а, следовательно, нет необходимости вкладывать в переоборудование своих фабрик значительные средства, необходимые для наращивания выпуска DDR2. Теперь же производителям памяти, похоже, придется пересмотреть свои взгляды, ведь Intel делает свой прогноз не просто "от фонаря", а опираясь на то, какие чипсеты она думает выпустить к этому времени. Вспомним DDR400... Никто из производителей (кроме Samsung) не воспринимал этот тип памяти всерьез, а после того, как Intel объявила о планах внедрения поддержки DDR400, все разом потянулись наращивать производство этого типа памяти. Кстати, из всех производителей памяти сейчас только Samsung заявляет о том, что он готов начать массовое производство DDR2 в 2004 году. Интересно, совпадение, не правда ли?

Конечно, если говорить об истории поддержки Intel неких стандартов памяти, то следует непременно вспомнить и RDRAM, как печальный опыт. Но мне представляется, что подобного не повторится - все-таки сейчас разногласие существует только в сроках внедрения, а не в типе памяти. Возможно, производители памяти и Intel просто сделают по шагу навстречу друг другу, в результате чего массовое производство DDR2 начнется, скажем, на полгода позже, чем намечает сейчас Intel, но на полгода раньше, чем планируют производители памяти. Не исключен, конечно, и любой другой вариант развития событий.

05.03.2003

DIMM модуль для ультра-тонких ноутбуков от Transcend.

Компания Transcend Information Inc. (Transcend) представила DIMM модуль нового форм-фактора Micro-DIMM (172 контакта), предназначенного для использования в ультратонких ноутбуках, где на счету в буквальном смысле каждый миллиметр "жизненного пространства":

TS32MMD64V6F

TS32MMD64V6F

Новый модуль объемом 256 МБ, соответствует стандарту PC2100, основан на 8-ми чипах 32Мx8, использует 6-слойную печатную плату,габаритные размеры 45 (ш) x 25 (в) x 0.8 (т) мм и обеспечивается фирменной пожизненной гарантией.

05.03.2003                                    Крупнейшие производители DRAM...

Продолжаем публикацию новостей из серии "самые-самые". :) На этот раз речь пойдет об 11 (ну почему же не 10?) компаниях, которые задают тон на рынке динамической памяти (DRAM). Данные предоставлены статистической компанией iSuppli (продажи указаны в миллионах долларов США).

ПроизводительМесто в 2002Место в 2001Продажи вИзменение, %Доля рынка в 2002 г., %
20022001
Samsung11498532055532.5
Micron22279423242018.2
Infineon34196511756712.8
Hynix43196217681112.8
Nanya578443331535.5
Elpida65615874-304.0
Winbond7114781302683.1
Mitsubishi88362261392.4
Mosel Vitelic910302205472.0
Toshiba106287459-371.9
PSC1113260951741.7

Как мы видим, рынок памяти практически полностью поделен между 5 крупнейшими компаниями, присутствующими на нем - в сумме они удерживают более 80 процентов (точнее 81.8) рынка. Остальные - еще около 15. Таким образом, 11 крупнейших производителей практически полностью поделили между собой рынок. Первое место рейтинга уверенно занимает Samsung, удерживая почти треть рынка.

Из интересных перестановок производителей в рейтинге iSuppli стоит отметить следующие: Infineon обошла Hynix, правда, совсем незначительно и обосновалась на третьем месте. При этом рост продаж по сравнению с прошлым годом составил 67 процентов - очень неплохо для крупной компании. Конечно, это ничто по сравнению с относительным ростом продаж Nanya, Winbond или Powerchip Semiconductor Corporation (PSC), но в абсолютном значении рост продаж у Infineon значительно выше. Кстати, упомянутые Winbond, Nanya и PSC за счет резкого роста продаж довольно резко продвинулись в рейтинге крупнейших производителей - Nanya перешла с седьмого места на пятое, Winbond занял седьмое место, поднявшись с одиннадцатого, а на этом самом одиннадцатом месте теперь расположилась PSC, уйдя с несчастливой 13-й позиции.

Из неудачников следует отметить Elpida, продажи которой, несмотря на текущие наполеоновские планы, в прошлом году уменьшились почти на треть. Падение же продаж Toshiba обусловлено тем, что данная компания продала свой DRAM-бизнес Micron, соответственно, продавала DRAM только часть года. В следующем году, очевидно, это компании в рейтинге вообще не будет. Так же, как и Mitsubishi, продавшей соответствующий бизнес японской Elpida Memory.

14 марта 2003 года   Очень быстрая память

OCZ Technology объявила о намерении начать производство модулей памяти QBM (Quad Band Memory). Модули QBM-533 (4.2 Гб/сек на канал, 8.4 Гб/сек на два канала), QBM-667 (5.4 Гб/сек на канал, 10.8 Гб/сек на два канала) и QBM-800 (6.4 Гб/сек на канал - 12.8 Гб/сек на два канала) должны быть подержаны чипсетом VIA PT600, с соответствующим двухканальным контроллером,(выпуск намечен на первую половину 2003)

Самое интересное, что продукция эта, равно как и соответствующий чипсет, предназначена в первую очередь для рынка персональных компьютеров. Так что вполне может статься, что уже в следующем году пропускная способность памяти на уровне 12.8 Гб/сек станет реальностью.

QBM DIMM модуль

QBM DIMM модуль

OCZ QBM-533: частота - 266 МГц, пиковая пропускная способность - 4.2 ГБ/сек, в двухканальном режиме - 8.4 ГБ/сек;

OCZ QBM-667: частота - 333 МГц, пиковая пропускная способность - 5.4 ГБ/сек, в двухканальном режиме - 10.8 ГБ/сек;

OCZ QBM-800: частота - 400 МГц, пиковая пропускная способность - 6.4 ГБ/сек, в двухканальном режиме - 12.8 ГБ/сек.

Компания сообщила, что эти модули будут доступны в массовых количествах в течение первой половины этого года, а значит можно сказать, что компания Kentron (разработчик QBM) практически дождалась своего "звездного часа" - индустрия наконец-то заметила ее технологию.

16/03/2003                                 Elpida анонсирует первые чипы GDDR2-M

Elpida Memory выступила с анонсом первых чипов DDR-II SDRAM памяти, оснащенных инновационной технологией GDDR2-M. Чипы, в создании которых принимала участие ATI Technologies, разработаны специально для современных мобильных графических решений, требующих высокой производительности, но низкого энергопотребления. Тестовая партия состоит из 128-мегабайтных чипов с частотами 350, 400 и 450 МГц, обеспечивающих скорость передачи данных 700, 800 и 900 Мб/с соответственно. При этом новинки довольствуются малым напряжением (VDDQ = 1.8V, VDD = 2.5V) и потребляют совсем немного энергии (всего 1.7W для версий на 350 и 400 МГц).

ATI объявила, что первой будет использовать чипы памяти GDDR2-M в своем недавно анонсированном MOBILITY RADEON 9600 PRO, выход которого запланирован на конец 2003 года. Массовое производство новых чипов Elpida начнет во втором квартале этого года.

C выбором 333-памяти будьте аккуратнее. ASUS жестко оговаривает, что 100% будет работать только протестированная память:

ПроизводительТипОбъемМодель
NanyaPC2700256МбNT5DS16M8AT-6
SamsungPC2700128МбK4H280838D-TCB3
SamsungPC2700256МбK4H280838D-TCB3
MicronPC2700128МбMT8VDDT1664AG-335B1
MicronPC2700256МбMT16VDDT1664AG-335B1
KINGMAXPC2700128МбMPMA82D-68KX3
KINGMAXPC2700256МбMPM62D-68KX3

С другими модулями памяти могут быть проблемы.

25 марта 2003 года          Компания Samsung объявила о начале массового промышленного производства модулей памяти DIMM DDR-II емкостью 1 Гб, основанных на чипах объемом 512 Мбит (16 штук на модуль).

Главное преимущество этого типа памяти по сравнению с DDR I заключается во вдвое большей полосе пропускания при той же внутренней частоте. Модуль, напряжение питания которого составляет 1.8 В, способен обеспечить пропускную способность 533 Мб/сек, и даже это значение может быть при необходимости увеличено до 667 Мб/сек.

02/04/2003                               Intel Grantsdale совместим как с DDR-II, так и с DDR

Intel решила встать на путь универсализации. В пользу этого говорит недавнее заявление компании о поддержке чипсетом Grantsdale как DDR-II, так и DDR памяти. С новым чипсетом совместимы модули DDR266 и DDR333, а также DDR-II 533 МГц. Такой ход Intel вполне оправдан, поскольку обеспечить массовые поставки модулей DDR-II производители памяти смогут не раньше, чем через год.

Так, включив в Grantsdale поддержку обоих типов памяти, Intel открыла путь чипсету на рынок уже сегодня, т.к. до выхода DDR-II владельцы плат на базе Grantsdale смогут использовать обычную DDR SDRAM. Недавно Intel также анонсировала новые процессоры с QPB на 1066 МГц - Tejas и Prescott. Tejas - принципиально новый чип, разрабатывающийся под собственный слот Socket T. Модификация Prescott с QPB 1066 МГц также создается под Socket T и выйдет в 2004 году.

05/04/2003  В этом году произошло радикальное изменение типа наиболее покупаемой памяти. SDRAM постепенно сходит со сцены, в то время как DDR SDRAM становится стандартом. Тем более что другие предложения, вроде двухканальной DDR, повышают интерес к новой памяти.Что касается поставщиков, то здесь начинает приносить плоды недавно анонсированный развод Intel с Rambus и желание работать с Объединенным советом по электронным устройствам (Joint Electronic Device Engineering Council, JEDEC), создающим стандарты в индустрии. Сегодня производительность компьютера в играх и производительных приложениях зависит от типа памяти в слотах DIMM, то же самое относится к процессору и видеокарте. А Rambus в то же время постепенно сошла на нет.

 SDRAMDDRRDRAMEDODDR2
200255%39%5%1% 
200313%81%3% 3%
20048%83%2% 9%
20055%58%2% 35%

                                                                                         Рыночные доли различных видов памяти. (Источник: iSuppli)

Основы DRAM

Принципиальной мерой производительности памяти является задержка при обращении к ней (латентность), которая является промежутком времени между запросом процессора и получением данных из оперативной памяти. Оперативная память на самом деле представляет только одно из трех временных хранилищ данных, через которые проходит информация для процессора и жесткого диска. И при обращении к оперативной памяти происходит много интересного.

На пути к оперативной памяти находятся кэши L1 и L2, которые могут содержать запрашиваемые данные, поэтому процессору не придется обращаться к основной памяти. В результате задержка уменьшается. Если вы желаете оценить влияние задержки на производительность, увеличьте латентность памяти в BIOS и сравните скорость работы.

За последние годы с целью повышения производительности кэша и уменьшения задержек предпринято множество усилий для улучшения связи между процессором и чипсетом (шина FSB) и связи между чипсетом и памятью (шина памяти). Пропускная скорость этих шин является потенциально "узким" местом. По этому показателю 533 МГц FSB Pentium 4 и PC-133 (133 МГц) SDRAM очень сильно различаются между собой.

Вы можете собрать систему, в которой скорость памяти будет выше, но шина памяти будет обладать увеличенными задержками, в результате ваша система будет работать хуже аналогов с меньшей скоростью памяти и меньшими задержками. Существует правило: скорость FSB процессора не должна быть меньше одной пятой его частоты. Связано это с тем, что кэш может эффективно работать до указанного порога, после чего шина FSB будет перегружена. Примером могут служить производительные чипсеты Intel, которые перешли на новые частоты FSB только после достижения 5-кратного превосходства над частотой процессора. Но что касается Celeron, которые Intel продает с высокими тактовыми частотами, соотношение частот FSB/процессор достигает тринадцати.

Несмотря на наличие технических спецификаций, некоторые модули памяти им не соответствуют. На фабриках стоимостью в миллиард долларов, где производится память, модули памяти, не прошедшие тест на 333 МГц, могут продаваться как 266 МГц версии. Продавцы и дистрибуторы по всему миру могут неправильно маркировать память. Модуль памяти с чипами 266 МГц может на самом деле работать на меньших тактовых частотах. К тому же если несколько бит будут испорчены, то ваша система станет нестабильной.

Спецификации памяти
1987FPM 50 нс
1995EDO 50 нс
1997PC66 SDRAM 66 МГц
1998PC100 SDRAM 100 МГц
1999RDRAM 800 МГц
1999/2000PC133 SRAM 133 МГц (опция VCM)
2000DDR SDRAM 266 МГц

В 1980 году, в период зарождения компьютеров, большинство из них обладало 512 кб памяти, а самые "продвинутые" пользователи могли посылать электронную почту или играть в тетрис (конечно, не одновременно). Появившиеся в конце восьмидесятых 386 процессоры уже можно было комплектовать 64 Мбайт памяти.

Тогда, до изобретения и внедрения SDRAM, время, требовавшееся процессору на отсылку или получение данных из памяти, измерялось в наносекундах (нс). Быстрая память обладала задержкой от 80 нс до 60 нс.

До выпуска SDRAM люди уделяли мало внимания мегагерцам и пропускной способности памяти. Сегодня основными параметрами памяти и шины памяти являются частота работы и скорость, с которой пересылаются данные. Скорость измеряется в байтах в секунду (число бит, умноженное на восемь). Те же характеристики применимы и к шине процессора FSB, которая связывает процессор и северный мост - МГц и байт/с.

Некоторую путаницу в современные модули памяти вносит использование наносекунд как критерия производительности памяти. Вместо времени доступа наносекунды теперь отображают продолжительность цикла DRAM. И с DDR SDRAM ситуация такая же.

Kingston Technology Company Inc., лидирующий производитель модулей памяти, предлагает следующую таблицу соответствия мегагерцам и наносекундам.

ШАГ 1

МГц = 1 миллион тактов в секунду:

66

100

133

ШАГ 2

Умножьте на один миллион, чтобы получить число тактов в секунду:

66.000.000

100.000.000

133.000.000

ШАГ 3

Константа: в одной секунде находится один миллиард наносекунд:

1.000.000.000

1.000.000.000

1.000.000.000

ШАГ 4

Поделите число наносекунд в секунде (из шага 3) на число тактов в секунду (из шага 2), чтобы получить число наносекунд за такт:

15

10

8

              

 По мере развития рынка доля SDRAM уменьшается. Тенденция начала прослеживаться в течение двух последних кварталов прошлого года, когда DDR SDRAM достигла зрелости и начала  вытеснять SDRAM.

Для новых компьютерных систем главной проблемой является выбор скорости DDR SDRAM: 266 МГц, 333 МГц или 400 МГц, при этом большая часть рынка использует 266 МГц и 333 МГц.

DDR (удвоенная скорость передачи, double data rate) считывает данные два раза за такт, в то время как традиционная SDRAM считывает данные только один раз за такт. В SDRAM данные считываются на подъеме тактового импульса, в то время как DDR SDRAM считывает данные на подъеме и спаде импульса.

Однако DDR SDRAM имеет свои ограничения, в соответствии с патентом Micron, которые связаны с ограничением DDR по пакетной передаче. Пакетные операции предусматривают считывание какого-либо количества данных с последовательных местоположений в памяти. Во время цикла DDR считывается два слова данных, каждое длиной по n бит. Оба сигнала данных должны исходить из одинакового местоположения в памяти перед переходом к следующему адресу, что связано с логикой схемы. Такой подход вполне допустим для последовательного считывания страницы памяти, начинающегося с четного адреса слова, поскольку второе слово находится в том же местоположении в памяти, что и первое слово. Однако последовательное считывание страницы памяти с нечетного слова не будет работать, поскольку второе слово будет необязательно находиться там же, где и первое слово, что ограничивает упреждающую выборку DDR устройств.

DDR SDRAM также поддерживает код коррекции ошибок ECC, что бывает полезно в серверах. ECC означает передачу дополнительных бит данных. К примеру, на 64-битной шине данных будет добавлен дополнительный бит на каждые 8 бит данных. В результате ширина 64-битной шины составит 72 бита. Дополнительные биты смогут определять ошибки в передаче сигнала.

Удваиваем каналы

    Удваиваем каналы

                         Двухканальная реализация подсистемы памяти на базе DDR400 будет хорошо соответствовать FSB с 800 МГц

В ближайшие недели Intel выпустит чипсет Springdale с DDR400, который является первым двухканальным чипсетом с поддержкой этого вида памяти.

Двухканальный доступ к памяти вряд ли можно назвать революционно новым. Он уже много лет используется в серверах и в работе с памятью Rambus.

Springdale будет сочетать память DDR400 и 800 МГц FSB Pentium 4. На первый взгляд, 800 МГц FSB Pentium 4 будет в два раза быстрее 400 МГц шины памяти с DDR400. В идеальном случае неплохо было бы добиться соответствия FSB и шины памяти, поэтому для подобной системы лучшим выбором стала бы несуществующая 800 МГц DDR SDRAM. Однако переход на двухканальную работу теоретически позволяет обеспечить ту же пропускную способность, что и 800 МГц DDR SDRAM.

Двухканальная DDR400 память задействует два слота DIMM и два модуля памяти, поэтому каждый модуль памяти соответствует одному каналу. Теоретическая пропускная способность достигает 6,4 Гбайт/с.

Что касается поддержки DDR400 со стороны производителей чипсетов, то в соответствии с Crucial, следующие чипсеты будут работать с DDR400:

Эффективная частота 400 МГц шины памяти RDRAM составляет 800 МГц, поскольку за один такт отсылается две единицы информации. Технология напоминает DDR400, но в силу 16-битной ширины шины Rambus пропускная способность до 1,6 Гбайт/с.

Однако с каждым дополнительным интерфейсом памяти приходится учитывать появляющиеся физические ограничения, включая индуктивность или электромагнитные эффекты памяти. Если процессор посылает сигнал и происходит какая-либо ошибка, к примеру, отражение сигнала, то сигнал будет отброшен.

Количество проводов и число стыков на любых шинах (например, от упаковки чипа к материнской плате, от платы на разъем, от разъема на модуль) приводят к потенциальной вероятности получения ошибок. Если мы будем увеличивать число модулей DIMM или разъемов, то это приведет к росту числа ошибок.

В самые первые дни память Rambus устанавливалась в три разъема, в результате чего материнские платы отличались низкой стабильностью. Вместо "0" откуда-то появлялась "1", или наоборот. Справиться с проблемами удалось путем уменьшения числа разъемов памяти до двух.

Так что, хотя в теории двухканальная DDR400 и хороша, но только лишь практическое тестирование даст ответ на вопрос о стабильности плат после их выхода на рынок.

                Удваиваем каналы, продолжение

Без Rambus

             Без Rambus

Прощай, Rambus. Планы Intel на весеннем IDF подтверждают отход компании от сотрудничества с Rambus на производительных чипсетах.

Споры о превосходстве той или иной памяти бывают очень горячи, напоминая "битвы" между сторонниками AMD и Intel. Но вряд ли какое-либо событие привлекало к себе столько внимания, как обсуждение ситуации с Rambus, Intel и JEDEC.

Во время написания этой статьи судебные прения по поводу лицензионных отчислений Rambus и соответствующих патентов находятся в самом разгаре. Вряд ли здесь можно гарантировать победу какой-либо из сторон, так что все будет решать судья. Но нас сегодня интересует не это. Intel уже давно увлеклась памятью Rambus, которая обеспечивала прекрасную производительность, однако была значительно дороже других видов памяти. Комитет JEDEC не очень хорошо относился к лагерю Intel/Rambus, тем более что лучшие чипсеты Intel поддерживали Rambus.

Но где-то весной 2002 года взаимоотношения Intel и Rambus начали меняться. В мае 2002 года Intel начала догонять SiS и VIA, выпустив линейку чипсетов для Pentium 4 с поддержкой DDR SDRAM, которые атаковали высокопроизводительные чипсеты с памятью Rambus.

Не будем забывать, что первый чипсет под Pentium 4 базировался на RDRAM. Прошло довольно много времени, прежде чем Intel решила добавить поддержку SDRAM, не говоря уже о DDR SDRAM. Вряд ли следует упоминать, что память RDRAM никогда не пользовалась особой популярностью в индустрии, особенно среди членов JEDEC и поставщиков памяти, хотя самые быстрые платформы Pentium 4 были построены именно на чипсетах с RDRAM.

Во время последнего Форума для разработчиков (IDF) Intel окончательно прояснила свою позицию, показав два производительных чипсета Springdale и Canterwood, которые поддерживали одноканальную и двухканальную DDR400 и 800 МГц FSB. Мало того, планы Intel вообще не содержали упоминания о памяти Rambus.

Компании Samsung Electronics, Hynix Semiconductor, Inc., Infineon Technologies и Elpida сразу же начали анонсировать доступность модулей DDR400, соответствующих спецификациям Intel для чипсетов 865P/ 865PE/ 865G (Springdale) и 875P (Canterwood).

DDRII

Производители уже выпустили экспериментальные образцы модулей DDRII, которые, в соответствии со стандартом JEDEC, будут иметь 240 контактов, использовать терминацию сигнала внутри кристалла памяти для улучшения электрических характеристик, а также предварительную выборку четырех битов вместо текущего стандарта предварительной выборки двух битов.

Память DDRII будет производиться по 0,10 мкм техпроцессу, поэтому тактовые частоты памяти будут начинаться с 400 МГц, затем возрастут до 533 МГц и 667 МГц. Подобные частоты были невозможны с технологией DDR SDRAM-1. И хотя модули памяти будут различаться, ядро памяти останется тем же, что и в DDR SDRAM-1. DDRII работает на пониженном напряжении, что будет полезно для мобильных решений.

Патент Micron включает описание механизма доступа к модулям DDRII, а также выборку и передачу четырех бит данных за один цикл чтения. DDRII позволяет осуществлять выборку и выдавать в два раза большее количество данных, чем DDR.

Одновременно происходит выборка четырех битов, а вывод информации осуществляется за два такта, то есть по два бита на один такт. Обработка четырех битов за такт приводит к появлению проблемы. В отличие от DDR, где четыре бита принадлежали к одной группе, память DDRII должна определить, какие два из четырех битов в какой такт передавать. Также следует определить и порядок следования битов в паре.

Но если ведущие производители памяти уже продемонстрировали образцы DDRII, скорее всего массовое производство DDRII начнется на год позже планируемого - в 2005 году. По данным многочисленных источников в индустрии, поставщики сначала желают распространить DDR400. Тем более что поступают сведения о задержках в дизайне соответствующих чипсетов.

Впрочем, большинство производителей памяти DDRII указывает на начало коммерческого производства в следующем году.

Видение ATi и nVidia

После многочисленных задержек nVidia выпустила GeForce FX, на которой используется память 1 ГГц DDRII. Через несколько дней ATi произвела контратаку с выпуском Radeon 9800 с DDRII. Оба продукта позволяют нам получить представление о потенциальных скоростях DDRII и дают надежду, что память DDRII и сопутствующие чипсеты будут выпущены менее, чем через два года.Графические чипы Radeon9800 и GeForceFX оснащены более миллиона транзисторов, что в два раза превышает их количество на процессоре P4.

Переход на GDDR2 SDRAM

Почему же графические компании ATi и nVidia решили пойти впереди "паровоза" JEDEC, выпустив свои собственные версии DDRII? Дело в том, что графические компании первыми столкнулись с проблемами производительности, связанными с недостаточной пропускной способностью памяти. Сегодня графическая индустрия по многим параметрам является передовой.

Действительно, видео-ускорители многократно улучшались за последние несколько лет - немало этому способствовала напряженная конкуренция между ATi и nVidia за выпуск самой лучшей графической карты. Когда чипы достигли определенного порога тактовой частоты, на производительность стали влиять другие факторы. В частности, скоростному чипу жизненно необходима быстрая подсистема памяти.

Об этом прекрасно осведомлены производители памяти типа Micron, Samsung и Hynix, которые начали разработку графической DDRII памяти еще до утверждения графической DDRII в JEDEC. Сегодня эта память известна как GDDR2, при этом она разработана специально для соответствия требованиям последних графических чипов ATi Radeon и nVidia GeForceFX, равно как и для использования в продуктах более мелких производителей типа Trident или S3.

В графике достаточно полезной оказывается возможность DDR выполнять двойную выборку за такт, однако в своем патенте Micron указала на необходимость пакетных операций по чтению последовательно располагающихся данных.

Кроме того, GDDR2 использует массив памяти, который адресуется по четным и нечетным адресам слов. Логика инкрементального пакетного чтения осуществляет выборку массива, начиная с четного адреса слова, а логика декрементного пакетного чтения - с нечетного адреса слова.

Такая логика удобна с точки зрения местоположения данных - следующие данные находятся в той же области, что и предыдущие.

Если же GDDR2 для графических процессоров будет недостаточно, то производители памяти предлагают следующий вариант - GDDR3 память, причем уже в этом году.

Возвращение JEDEC

Возвращение JEDECМногие рассматривают сотрудничество Intel и Rambus как пренебрежение к комитету JEDEC, который разрабатывает индустриальные стандарты памяти и работает под эгидой американской Ассоциации электронной промышленности (EIA). Следует учитывать, что JEDEC имеет солидный авторитет и влияние в индустрии, именно поэтому союз Rambus и Intel рассматривался как шаг против всей индустрии DRAM. Скажем, во время июньского утверждения стандарта DDRII в Токио, в комитете состояло более 120 компаний. Среди них были производители памяти Elpida, Hynix, IBM Microelectronics, Infineon, Micron, Mitsubishi, Mosel Vitelic, Samsung and Toshiba, а также производители чипсетов и инфраструктуры AMD, ALi, CST, ServerWorks, VIA Technologies, Texas Instruments и другие.

А где же сейчас Rambus?

Несмотря на многочисленные поверья, Rambus Inc. не занимается производством памяти. Фактически, компания вообще ничего не производит. Деятельность компании сводится к разработке памяти и других технологий, а также к дальнейшему их лицензированию. Производством RDRAM сегодня занимается один из ведущих производителей Samsung. Кроме того, большинство высокопроизводительных компьютеров от Dell, HP и других поставщиков продолжают использовать RDRAM как наиболее производительное решение на рынке.

Но сегодня планы Intel уже не содержат упоминания о Rambus, так на что мы можем надеяться в долгосрочной перспективе? Куда исчезла компания?

Однако Rambus не собирается сдаваться. Компания разрабатывает новые архитектуры памяти для применения в серверах или рабочих станциях. Но в ближайшем будущем мы вряд ли увидим что-либо новое для ПК. Сегодня основным направлением деятельности Rambus является память в приставке Sony Playstation.

После использования памяти Rambus RDRAM в Playstation II, Sony планирует внедрить дизайн Rambus Yellowstone в будущих приставках.

В этом году мы наблюдаем небольшой рост продаж ПК, в то время как продажи памяти продолжают падать. И хотя подобная тенденция огорчает производителей памяти, нам, конечным потребителям, можно лишь приветствовать падение цен. В ближайшие несколько недель мы будем наблюдать выпуск материнских плат с 3+ ГГц процессорами и 800 МГц FSB в паре с двухканальной DDR400 памятью. В марте в продажу поступили nVidia GeForceFX и ATi Radeon 9800, где уже используется DDRII память, что позволяет нам надеяться на скорый приход DDRII и на материнские платы.

Но мир не идеален. Сегодня, когда Rambus уже сошла со сцены памяти для ПК, сложно ответить на вопрос, какой стандарт сможет стать альтернативой и обеспечить лучшую производительность? Но может нам не стоит беспокоиться и просто следует довериться стандартам JEDEC DDR400 и DDRII?

7 мая, 2003   CelluarRAM - новая память для телефонов

Три крупнейших компании, занимающихся научными разработками в сфере хранения данных, анонсировали 5 мая новый стандарт специальной памяти для сотовых телефонов.

Еще в том году Infineon Technologies, Cypress Semiconductor и Micron Technology договорились о совместной разработке CelluarRAM. Новая память основана на технологии DRAM, и поэтому работает значительно лучше статической памяти SRAM, которая используется сегодня в мобильных устройствах. Тройка гигантов начала разработки, предвидя потребности к производительности памяти телефонов поколений 2,5G и 3G.

Сегодня копании могут представить модуль CelluarRAM на 32 Мбит, хотя, по словам представителей компаний, они намереваются организовать также выпуск модулей на отдельных подложках, что позволит встраивать память в единые (multi-package) чипы для телефонов. Помимо этого в конце этого или начале следующего года, все трое производителей будут выпускать модули на 16 Мбит и 64 Мбит.

Новая память полностью совместима со старой статической памятью SRAM, требует такого же питания, но может работать на частоте до 104 МГц, при относительно небольших задержках (70 нс), благодаря чему может передавать данные со скоростью 1,5 Гб/с. Архитектура поддерживает стандарты передачи данных Intel W18 и Micron Flash Burst и несколько вариантов питания.

Можно сказать уверено, что поддерживаемая тремя крупнейшими производителями, CelluarRAM станет стандартом для сотовой индустрии.

Q.Можно ли вместо набора Kingston HyperX PC3200 использовать набор Kingston HyperX PC3500 на тех же 400 МГц, не теряя кингстоновской надежности? Если можно, то параметры выставлять как для PC3200 или как для PC3500?

A. -Можно, параметры (тайминги вообщето) выставлять как у РС3200.

   - если использовать на 400МГц ,то тайминги лучше попробывать понизить-для большей производительности, а иначе нет смысла тратить лишние баки за 3500.

  - На кой фиг вообще брать такую память? Лучше разницу в цене на процессор или видео потратить. А от такой памяти выигрыш копеечный. Q.Вопрос №1. Почему при изменении частоты памяти с 266 на 333 и обратно (DDR333 512 Мб одной планкой) пропускная способность не меняется и составляет всего ~1980 Мб/с, а если мерить с помощью Cache-mem, то и вообще - 1200 Мб/с при чтении и 670 Мб/с при записи (мерил с разной памятью).

Вопрос №2. Когда в BIOS переключаешь пункт System Performance из "нормал" в "фаст", то машина вообще Win ХР не загружает, а пишет, что не может запустить какой-то файл, и просит для восстановления нажать "r". Устанавливаю System Performance в "нормал" - все нормально грузится. В чем проблема? Мать ЕPoХ 8К9А (КТ400), память Kingston на чипах Hynix, камень ХР 2100+.

A.Пропускная способность памяти с увеличением или уменьшением частоты должна меняться, причем заметно, так что объяснение тут может быть одно - при переключении частоты она на самом деле не меняется. А вот второй ваш вопрос, кстати, говорит о том, что память у вас далеко не самая лучшая. При небольшом повышении (вернее, понижении, если говорить о числовых значениях) таймингов, которое происходит при переключении пункта System Performance, она начинает глючить. Не завышайте требования к памяти или попробуйте чуть-чуть приподнять напряжение на ней - может, и разгонится.

Q.2 x 512 Мб Kingston HyperX DDR400 CL2 (SPD), гарантия - "life". Начались постоянные "вылеты" программ и игр (Photoshop, CorelDraw, 3DMark 2003, WinRAR, WarCraft, Unreal и т. д.) и перезагрузка компа?

A.Вы просто завышаете требования по таймингам. Понизьте их относительно таймингов, указанных в SPD. Велика вероятность, что после этого память заработает в двухканальном режиме.

Если же ваш модуль в листах совместимости есть - все ваши проблемы становятся проблемами гарантийного отдела.Аргумент про вскрытую упаковку просто смехотворен, так что это даже обсуждать нет смысла. Воспользоваться вещью, не вскрыв упаковку, нереально. Тестировать память DDR400 на частоте 266 МГц можно, конечно, но, согласно спецификации, она должна работать на частоте 400 МГц, и если память на этой частоте не работает - это повод предъявить претензии.

Если вам вернут память, сославшись на то, что она "полностью исправна", снова предъявляйте претензии, только теперь уже не устные, а письменные. Вообще, побольше пишите. Если отказать вам устно легко, так как доказать неправомерность в этом случае практически невозможно потому, что невозможно доказать сам факт отказа, то на письменную претензию по закону должны дать письменный же ответ, который уже можно приложить к возможному судебному иску. Используйте возможности почты - пошлите заказное письмо с заявлением, описью вложения и уведомлением о вручении. Велика вероятность, что после этого гарантийный отдел начнет вести себя гораздо более спокойно и законно.

seo & website usability inet html os faq hardware faq video cpu hdd mainboard faq printer & scaner modem mobiles hackzone

SDRAM
DDR
DDR2
DDR3
Quad Band Memory (QBM)
SRAM
RDRAM
FeRAM
RAM faq
Словарь терминов
Windows 10 | Registry Windows 10 | Windows7: Общие настройки | Windows7: Реестр | Windows7: Реестр faq | Windows7: Настроки сети | Windows7: Безопасность | Windows7: Брандмауэр | Windows7: Режим совместимости | Windows7: Пароль администратора |  |  |  |  | Video | nVIDIA faq | ATI faq  | Интегрированное видео faq | TV tuners faq | Терминология | Форматы графических файлов | Работа с цифровым видео(faq) | Кодеки faq | DVD faq | DigitalVideo faq | Video faq (Архив) | CPU | HDD & Flash faq | Как уберечь винчестер | HDD faq | Cable faq | SCSI адаптеры & faq | SSD | Mainboard faq | Printer & Scaner | Горячая линия бесплатной юридической консультации | Благотворительность

На главную | Cookie policy | Sitemap

 ©  2004