RSS

Компьютерная терминология    1_9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z  .....  A  Б  В  Г  Д  Ж  З  И  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч

DDR3

  

FAQ по DDR3

  • Что такоe - DDR3?
  • Физическая разница между модулями DDR2 и DDR3
  • Oсновные функциональные особенности памяти DDR3
  • Спецификации чипсетов серии Intel 3 Series (Bearlake),поддержка DDR3
  • DDR3 в мобильных платформах Intel
  • Имеет ли память DDR3 какое-то отношение к графической памяти GDDR3 в видеокартах или приставках Xbox 360?
  • "потолок" тактовых частот модулей памяти DDR3 DIMM
  • Бесплатная консультация специалиста
    Loading…
     
    Что такоe - DDR3?

    Память Synchronous Dynamic Random Access Memory, третье поколение стандарта Double Data Rate - попросту DDR3 SDRAM, представляет собой новое поколение памяти DDR, идущей на смену нынешнего поколения DDR2 SDRAM. 

    Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, мы можем говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). При сохранении основного строения архитектуры, ключевым изменениям подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O. Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту.

    DDR3 Ratings

    Среди основных преимуществ нового стандарта, прежде всего, стоит отметить меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у ходовых образцов модулей DDR2. Основной причиной экономии энергопотребления называют использование нового поколения чипов памяти DDR3, выпуск которых налажен у большинства производителей с соблюдением норм 90 нм техпроцесса. Это позволяет снизить рабочие напряжения чипов – до 1,5 В у DDR3, что ниже 1,8 В у DDR2 или 2,5 В у DDR; плюс, дополнительно снизить рабочие токи за счёт использования транзисторов с двумя затворами для снижения токов утечки. На практике это приведёт к тому, что, к примеру, у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667.

    Имеет ли новая оперативная память DDR3 какое-то отношение к графической памяти GDDR3 в видеокартах или приставках Xbox 360?

    Нет, не имеет. Под схожими названиями скрывается разная архитектура, с совершенно несхожими схемами буферизации и т.д. Так что отныне лучше не смешивать термины "DDR3" и "GDDR3".

    Каковы основные функциональные особенности памяти DDR3?

    Основные особенности архитектуры чипов DDR3 SDRAM таковы:

    Основные особенности модулей DDR3:

    Производительность модулей памяти DDR3 должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 – хотя бы потому, что теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц – 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц – 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц - 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц - 533 МГц), а у DDR – и вовсе 200 МГц - 600 МГц (100 МГц - 300 МГц).

    Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный. Буфер предварительной выборки (prefetch buffer), надо отметить, достаточно важный элемент современных модулей памяти, поскольку он отвечает за кэширование данных перед тем, как они будут востребованы. Таким образом, предварительная 8-битная выборка DDR3 позволяет говорить о работе I/O шин модуля на тактовой частоте, в 8 превышающей тактовую частоту.

     Второй причиной роста производительности DDR3 можно смело назвать новую схемотехнику динамической внутрикристальной терминации (Dynamic On-Die Termination), калибровка которой производится в процессе инициализации для достижения оптимального взаимодействия памяти и системы.

    Наконец, в отличие от DDR2, где терминация применялась только частично, память DDR3 обладает полной терминацией, включая адреса и команды.

    Преимуществами DDR3 по сравнению с DDR2 можно назвать более высокие тактовые частоты – до 1600 МГц, рост производительности при меньшем энергопотреблении (соответственно, более продолжительную работу ноутбуков от батарей), а также улучшенный термодизайн.

    Минусом DDR3 против DDR2 можно назвать более высокую латентность.

    Aрхитектура DDR2 начинает фактически "упираться" в потолок своих возможностей, что завязано на тактовые частоты процессоров и топологию шин. Сейчас пока рано говорить о сроке жизни DDR3, однако не будет ничего невероятного, если через три года ей на смену придёт что-то вроде DDR4. Такова жизнь.

    Так каков же "потолок" тактовых частот модулей памяти DDR3 DIMM?

    Пока что речь идёт о чипах DDR3-1600, на базе которых будут выпускаться модули PC3-12800 с пропускной способностью до 12,80 Гб/с. Однако в документации Intel уже встречалось упоминание того, что DDR3 теоретически может быть масштабирована до частот вплоть до 2133 МГц.

    Есть ли физическая разница между модулями DDR2 и DDR3?

    Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК будут обладать 240-контактной структурой, привычной нам по модулям DDR2; однако физической совместимости не будет благодаря различному расположению ключей DIMM, предотвращающим установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрены не только по причине поконтактной несовместимости модулей, но и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативной памяти. 

    Какие типы модулей DDR3 будут типичным явлением на рынке памяти?

    Ожидается, что модули памяти DDR3 будут выпускаться в вариантах Registered DIMM, Unbuffered DIMM, FB-DIMM, SO-DIMM, Micro-DIMM и 16-бит/32-бит SO-DIMM.

    Относительно форм-факторов памяти DDR3 – что критично для рынка серверов, можно сказать, что будут представлены 1,2-дюймовые (30 мм) модули для 1U серверов, типичные для индустрии с 1999 года, а также VLP-модули высотой 18,3 мм для Blade-серверов, 38 мм модули для 2U серверов и даже более "высокие" модули. 

    Какова будет типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM?

    Ещё на стадии тестирования стандарта DDR3 производители работали с чипами ёмкостью 512 Мбит и создавали 1 Гб модули; теоретически ёмкость модулей DDR3 может достигать 8 Гбит. Типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM по мере роста популярности составит 1 Гб – 4 Гб, теоретически – до 32 Гб.

    Что касается модулей DDR3 SO-DIMM для мобильных ПК, появление образцов которых ожидается в ближайшее время, а начало массового производства (по крайней мере, компанией Samsung) запланировано на начало 2008 года, типичные ёмкости будут располагаться в диапазоне 512 Мб – 4 Гб. 

    Полную линейку чипов, прошедших процесс тестирования, квалификации и валидации у Intel можно посмотреть на этой странице:

    Validated DDR3 800/1066MHz SDRAM Components

    Производители модулей также объявили о полной готовности. Так, компания Corsair уже представила 1 Гб модули DDR3-1066 DHX с таймингами 6-6-6-24, а на перспективу в серии DOMINATOR уже в этом квартале готовится выпуск модулей DDR3-1333 и выше.

    Компания OCZ Technology на днях представила свои наборы модулей PC3-8500 (1066 МГц, CL 7-7-7-21) в серии Gold Series (с позолоченными радиаторами XTC), в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G10661GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G10662GK), а также наборы модулей PC3-10666 (1333 МГц, CL 9-9-9-26) той же серии в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G13331GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G13332GK). 

    Чипсеты с поддержкой DDR3 от Intel.

    Разумеется, в числе первых системных плат с поддержкой DDR3 стоит ожидать новинки на чипсетах нового поколения Intel 3 Series - те что носили собирательное рабочее название Intel Bearlake. Эти чипсеты будут поддерживать новые процессоры Intel Core c FSB 1333 МГц и новую оперативную память DDR3-1333.

    Впрочем, сразу стоит оговориться, что не каждый чипсет из семи, ожидаемых в серии Bearlake - X38, P35, G35, G33, G31, Q35 и Q31, будет работать с DDR3 (равно как и с новыми FSB 1333 МГц процессорами) – традиционно, речь идёт лишь о чипсетах для High-end и Mainstream рынка.

    Intel X38

    Intel G33

    Полная официальная информация о чипсетах серии Intel 3 Series Bearlake появится на нашем сайте достаточно скоро. Для статьи FAQ по DDR3 мы подготовили специальную "облегчённую" таблицу, с уточнением поддержки стандартов оперативной памяти.

    Спецификации чипсетов серии Intel 3 Series (Bearlake), поддержка DDR3

    ЧипсетX38P35G35G33G31Q35Q33
    Рабочее названиеBearlake XBearlake PBroadwaterBearlake GBearlake GZBearlake QBearlake QF
    Примерная дата анонса3 кварталИюнь3 кварталИюнь3 квартал
    Сегмент рынкаЭнтузиасты, геймерыMainstreamValueBusiness MainstreamBusiness Value
    Поддержка CPUCore2 Extreme++-----
    Core2 Quad+++++++
    Core2 Duo+++++++
    Yorkdale++++-++
    Wolfdale+++++++
    FSB1333 МГц+++++++
    1066 МГц+++++++
    800 МГц++++-++
    ПамятьСлотов4 (2 DIMM х 2 канала)
    Max. ёмкость8 Гб
    ПоддержкаDDR3 / DDR2DDR2DDR3 / DDR2DDR2
    FSB в сочетании с памятью1333 / DDR3-1333+------
    1333 / DDR3-1066++-+---
    1333 / DDR3-800++-+---
    1066 / DDR3-1066++-+---
    1066 / DDR3-800++-+---
    800 / DDR3-800++-+---
    1333 / DDR2-800++++-++
    1333 / DDR2-667++++-++
    1066 / DDR2-800+++++++
    1066 / DDR2-667+++++++
    800 / DDR2-800+++++++
    800 / DDR2-667+++++++
    Встроенная графикаИнт. ядро--4 поколение3,5 поколение
    DirectX--DX10DX9DX9DX9DX9
    Кодек VC-1--+----
    Внешнее видеоPCIe 2х16 (5 Гб/с)PCIe x16
    Южный мостICH9++-+-++
    ICH9R++-+-++
    ICH9DO+----+-
    ICH9DH++-+---
    ICH8--+----
    ICH8R--+----
    ICH8DH--+----
    ICH7----+--
    ICH7DH----+--
    ТехнологииPCI Express 2.0+------
    AMT 3.0+----+-
    VT-D+----+-
    TXT (LaGrande)+----+-
    ПлатформаVPro-----+-
    Viiv+++++--

    DDR3 в мобильных платформах Intel

    Мобильная платформа Intel  Santa Rosa, будет работать исключительно с памятью DDR2, это заложено в архитектуре чипсетов Intel Mobile 965 Express. То же самое можно сказать об обновлённой версии платформы Santa Rosa с рабочим названием " Santa Rosa+", изменения в которой будут связаны, главным образом, с новыми мобильными процессорами архитектуры Penryn.

    Платформа Montevina будет обладать полностью обновлённой обвязкой 45 нм мобильных процессоров с архитектурой Penryn. В частности, модельный ряд чипсетов для платформы Montevina под кодовым названием Cantiga с TDP порядка 15 Вт будет оснащаться южными мостами ICH9M, беспроводными модулями Shiloh (Wi-Fi) или Echo Peak (Wi-Fi/WiMAX), LAN-модулем Boaz. Интегрированные версии чипсетов Cantiga будут обладать 457 МГц интегрированной графикой поколения 4.5 (фактически, улучшенная версия грядущего чипсета Calistoga с Gen 4 графикой GMA X3100).

    Чипсеты Cantiga будут поддерживать FSB 1066 МГц, а также модули памяти SO-DIMM стандартов DDR2-667 (DDR2-800 поддерживаться не будет) и DDR3-800.


    07.04.2005  Infineon выпустила чипы GDDR 3 плотностью 512 Мб
    Производитель памяти, компания Infineon наконец-то смогла выпустить чипы памяти GDDR3 плотностью 512 Мб. Новинка способна работать на частоте 1600 МГц при напряжении питания 1.8 В, обеспечивая пропускную способность в 51.2 ГБ/сек, при ширине шины в 256 бит.
    Образцы чипов памяти уже были предоставлены производителям видеокарт в феврале этого года, но массовый выпуск чипов намечен на вторую половину этого года, так что власть Samsung ещё не кончилась.
    Чипами такой плотности будут комплектоваться видеокарты с 512 МБ видеопамяти, так же их можно применить для создания 1 ГБ видеопамяти, но пока такие решения весьма дороги.


    30.03.2005Samsung получила в феврале опытные образцы чипов памяти DDR3 плотностью 512 Мб способных работать на частоте 1066 МГц. Сейчас чипы изготавливаются по техпроцессу 90 нм, но ожидается, что серийные образцы будут выпущены по 80 нм.
    По данным IDC в 2009 году доля продаваемой памяти DDR3 будет составлять 65% от всего рынка. А первый чип будет продан уже в 2006 году:
    Samsung Electronics said it would discuss some general peculiarities of implementation of DDR3 SDRAM at the forthcoming JEDEX 2005 conference in addition to some other challenges the company and its industry partners face with leading-edge technology.

    According to the company?s statement, Jon Kang, Senior VP of the Technical Marketing Group at Samsung Semiconductor and seven distinguished staff engineers from the company will speak at the 4th Annual JEDEX 2005 Conference and Exposition in San Jose, California, on March 31-April 1, 2005, on key design challenges facing the semiconductor industry in memory architecture, wireless network interfaces, memory performance, board assembly and chip packaging.

    Particularly, Samsung?s representatives will talk about design considerations for the DDR3 memory subsystem as well as high-performance graphics and network types of memory. Being the only supplier of the GDDR3 memory used on high-end graphics cards for about a year, Samsung is on the forefront of high speed memory.

    Samsung Electronics announced in mid-February it had made the world?s first 512Mb memory chip which complies to next-generation DDR3 standard and can operate at the speed on 1066MHz. The prototype operates at 1.5V and transfers data at the speed of 1066Mbps. Samsung says DDR3 memory will be made using 80nm process technology; at present the company uses 90nm for DDR and DDR2 SDRAM production.

    Samsung cites market research firm IDC as saying that the first DDR3 DRAMs will be sold in 2006 and that the DDR3 will represent 65% of the entire DRAM market in 2009. At the same time, Intel Corp.?s initial plans included platforms supporting DDR3 memory in 2007.

    In addition to micro-architectural advantages DDR2 memory brings over the original DDR memory, such as, On-Die Termination (ODT) as well as larger 4-bit prefetch, additive latency, and enhanced registers, the DDR3 features self-driver calibration and data synchronization.

    It is unclear what exactly will be discussed at JEDEX 2005.

    seo & website usability inet html os faq hardware faq video cpu hdd mainboard faq printer & scaner modem mobiles hackzone
    Магазин цифровой техники | Новинки магазина | Windows7: Общие настройки | Windows7: Реестр | Windows7: Реестр faq | Windows7: Настроки сети | Windows7: Безопасность | Windows7: Брандмауэр | Windows7: Режим совместимости | Windows7: Пароль администратора |  |  |  |  |  |  | Память | SDRAM | DDR2 | DDR3 | Quad Band Memory (QBM) | SRAM | RDRAM | FeRAM | Словарь терминов | Video | nVIDIA faq | ATI faq  | Интегрированное видео faq | TV tuners faq | Терминология | Форматы графических файлов | Работа с цифровым видео(faq) | Кодеки faq | DVD faq | DigitalVideo faq | Video faq (Архив) | CPU | HDD & Flash faq | Как уберечь винчестер | HDD faq | Cable faq | SCSI адаптеры & faq | SSD | Mainboard faq | Printer & Scaner | Горячая линия бесплатной юридической консультации | Благотворительность

    На главную | Cookie policy | Sitemap

     

    po gonn © 2004