RSS

Компьютерная терминология    1_9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z  .....  A  Б  В  Г  Д  Ж  З  И  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч

DDR

2004

11/05/2004 Переходник для повышения питания модулей DIMM

Крайне интересная и необычная новинка была продемонстрирована в минувшие выходные на японских островах. Устройство CM-101 от тайваньской компании Commel представляет собой специальный переходник для повышения напряжения на DDR-модулях, причём в отличие от стандартных возможностей большинства материнских плат, новинка может повышать VMem до почти астрономического значения в 3.95 В (мат. платы максимум 3.2 В)!!! Работает устройство довольно просто, вы вставляете его в слот и далее уже в него инсталлируется планка и подключается доп. питание:

DIMMDIMM

Новости

и, наконец, с помощью DIP-переключателей выбираете нужное напряжение:

DIMM
Осталось только включить и ... охлаждать, ибо кроме повышения разгонного потенциала, увеличенное напряжение «дарит» пользователю и ощутимый нагрев микросхем, что в итоге может привести к смерти подопытного модуля (если откровенно перестараться). Так что всем будущими владельцам CM-101 настоятельно рекомендуется сразу же позаботиться об охлаждении, благо разнообразных радиаторов и специальных кулеров сейчас хватает.

21 апреля 2004   Hемецкой компании Memorysolution GmbH, выпускающей память под маркой takeMS, выпускается она на базе чипов Infineon, а это имя вам должно быть хорошо известно.

Первым делом я решил проверить память "народного" объёма – два модуля DDR400 по 256 МБ.

takeMS
DDR400DDR400
Я, конечно, не знаменитый фотохудожник, однако современные фотоаппараты большую часть работы по выбору экспозиции берут на себя и моей вины, в том, что маркировки на чипах не видно, нет. Впрочем, фотоаппарат тоже не виноват. Чипы производят очень плохое впечатление, если бы мне продали такую память, я бы вернул её обратно, ссылаясь на то, что она "пиленая". Маркировка нанесена разными шрифтами, такое ощущение, что часть стёрли и выгравировали заново. Так поступали, когда хотели продать дешёвую низкокачественную память под видом дорогой.

Зная, что производит чипы Infineon, я предположил, что действительно часть оригинальной маркировки стиралась и поверх наносилась "фирменная" от Memorysolution, поэтому этот факт меня не напугал, хотя, безусловно, он оставляет не самое благоприятное первое впечатление. Немало всемирно известных оверклокерских брендов сами не являются производителями, но выпускают модули памяти на основе "чужих" чипов. Стыдится этого никому в голову не приходит, такой аутсорсинг широко распространён и не только в производстве модулей памяти.

Вот маркировка чипов, которую мне всё же удалось рассмотреть:

takeMS 1304
MS256D03208-5

Зато меня немало порадовал тот факт, что в SPD зашита не только информация о производителе, но и part number модуля. Обратите внимание, что он совпадает с номером, нанесённым на лейбл. Несмотря на сомнительный внешний вид, подделать эту память не так просто, недостаточно всего лишь переклеить лейбл, потребуется ещё и перешить SPD.

Все тесты я проводил на материнской плате Asus P4P800, rev. 1.02, BIOS 1015 с процессором Intel Pentium 4 2.4C, способным разгоняться до 300 МГц по шине. Параметр Memory Acceleration Mode был установлен в значение Enable, параметр Performance Mode – Standard, а напряжение на памяти увеличено до 2.75 В. Все тесты проводились при синхронной работе процессора и памяти, однако сначала я проверил, запустится ли система, если частоту FSB установить 300 МГц, а для памяти поставить делитель 3:2. При этом память должна работать на своей номинальной частоте 200 МГц, однако мы знаем, что далеко не все модули выдерживают такую проверку. Так и произошло, система в таких условиях не стартовала.

В качестве тестовой программы служила GoldMemory. Эта утилита не лучше, но и не хуже других, чтобы выявить плавающий дефект ей требуется немало времени, однако грубые ошибки можно выявить быстрым тестированием, один цикл занимает минут двадцать, что меня устраивало ввиду большого количества тестов. Вот результаты проверки:

Что ж, рекордов память не показала, однако проявила себя достаточно неплохо. Немного смущает тот факт, что ни с какими таймингами память не соглашалась работать на частоте выше, чем 225 МГц, а чтобы установить CAS Latency 2.0 пришлось опуститься ниже 200 МГц. Впрочем, не будем забывать, что номинал для этой памяти CL 3.0 и не будем излишне придирчивы.Далее я приступил к тестам двух модулей DDR400 по 512 МБ.

Как видите, на этот раз маркировка на чипах видна хорошо и так же полна информация в SPD.

К сожалению, другими хорошими новостями относительно этих модулей памяти я вас порадовать не могу. Память оказалась дефектной и система висла даже на номинальных частотах. Кто из нас не видел "битой" памяти? Всякое случается и нельзя распространять неисправность одного модуля на всю продукцию. Меня только очень настораживает тот факт, что с двумя другими модулями памяти takeMS 512 MB DDR400 система вообще не стартовала! Оказалось, что один модуль рабочий, а второй полностью неисправен. Я был вынужден отказаться от тестирования и перейти к проверке двух модулей памяти takeMS DDR333 по 256 МБ.

Здесь даже наклейка отличается в лучшую сторону от предыдущих модулей, а информация в SPD так же исчерпывающа.

Мало того, эти модули порадовали меня тем, что без труда запустились на частоте 200 МГц, как DDR400, при разгоне процессора до 300 МГц по шине, что не удалось даже "настоящей" памяти DDR400 от takeMS. Они стартовали и при частоте 220 МГц, однако тесты были пройдены лишь при 210 МГц.

Очень неплохо для памяти, которая в номинале должна работать при частоте 166 МГц с таймингами 2.5-3-3-7!

Если подводить итог проверке, то всё же более предпочтительно выглядят модули памяти 256 МБ DDR400, чем DDR333 – у них конечные характеристики получше. Надеюсь, что неприятность, произошедшая с модулями памяти по 512 МБ – это всё же досадная случайность, а не система. Тем более что в ассортименте компании есть немало других моделей.

Радует тот факт, что производитель даёт десятилетнюю гарантию на свои изделия, остаётся только надеяться, что продавцы знают об этом . Стоимость модулей не ниже, но и не выше других, поэтому вполне можно попробовать эту память в деле. Только не забывайте, что память из другой партии может проявить себя совершенно иным образом и даже те же самые модули, но на другой системе, могут не оправдать надежд или наоборот – порадовать рекордным разгоном.

20/03/2004  2 Гб наборы памяти от Corsair

Вслед за принципиальными соперниками из Kingston и OCZ, наконец-то представила свои 2Гб наборы и компания Corsair. TwinX2048-3200PRO на данный момент является самым «вместительным» решением Калифорнийской компании.

Как уже понятно из названия, набор состоит из 2-х небуферизированных модулей стандарта DDR400, по 1 Гб каждый. Такой большой размер накладывает некоторые ограничения и на тайминги, в данном случае они составляют 3-3-3-8. Для лучшего охлаждения и более привлекательного внешнего вида, каждая планка «закована» в чёрные алюминиевые радиаторы с 2-мя рядами светодиодов, показывающих уровень использования памяти.

По заверениям Corsair, все модули линейки TwinX, проходят тщательное предпродажное тестирование в 2-х канальном режиме, для использования в котором они и предназначены.

03.03.2004   OCZ предлагает небуферизованные 1 Гб DDR400 SDRAM DIMM — по технологиии ULN2 OCZ Technology сообщила о выпуске 1 Гб небуферизованных модулей PC3200 (OCZ4001024PF), которые вскоре будут поставляться и в составе 2 Гб комплектов (OCZ4002048PFDC-K). Каждый модуль (комплекта) имеет традиционные для "оверклокерской" памяти алюминиевые теплоотводники и, как отмечает производитель, при напряжении питания 2,6 В работает с таймингами 3-3-3-7. От других аналогичных решений модули отличаются тем, что выполнены с использованием новой технологии защиты печатной платы модуля от паразитных шумов, ULN2.

Не изменяя традициям, инженеры компании тестировали модули, входящие в состав комплектов, попарно, на системной плате Asus P4C800. Можно предположить, что после анонса в середине февраля технологии ULN2 компания повторит выпуск большинства модулей, но уже использовав именно ее.

30/01/2004 DIGMA: теперь и модули памяти

По информации компании Merlion, под торговой маркой DIGMA, помимо уже привычных для российского покупателя карт флэш-памяти, начнутся поставки модулей памяти.

Линейка модулей памяти DIGMA представлена как классическими моделями DDR266, DDR333, DDR400, так и производительными DDR466 и DDR500 емкостью 128, 256 и 512 Мб. Как и на флэш-карты, на всю линейку модулей DIGMA дается гарантия 5 лет.

2003

23/12/2003       Kingmax представил память DDR500

Все больше и больше производителей анонсируют память DDR500, к сожалению тайминги пока оставляют желать лучшего. Компания Kingmax представила собственные модули памяти в упаковке TinyBGA - Hard-core Series DDR500 Hyperband.

По заявлениям производителя, модули протестированы на всех существующих моделях материнских плат i865/875 и платформах K8. CAS latency составляет 3, работают новинки при напряжении 2,6 В, что позволяет (вместе с TinyBGA отказаться от использования рассеивателей тепла). Hard-core Series DDR500 Hyperband будет выпускаться объемом 512 и 256 Мб, параллельно были анонсированы и DDR466 модули этой же серии.

Дата: 26.11.2002  Тесты модулей DDR400 семи типов от разных производителей.

Всего года полтора назад память DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) начала свой победный путь в качестве системной памяти для персональных компьютеров (и позже - для серверов). А сегодня уже любой ПК среднего и выше среднего уровня не мыслим без DDR DIMM, а серверы на платформе Intel уже почти отказались от использования других видов памяти. (Для видеокарт память DDR стала внедряться раньше и сейчас почти безраздельно господствует на видеорынке). И хотя для ПК начального уровня память SDR SDRAM (PC133/PC100) по прежнему пользуется неплохим спросом (и занимает почти половину списка предложений в нынешних прайс-листах розничных продавцов компьютерных комплектующих), можно с уверенностью сказать, что ее дни сочтены. Как, впрочем, сочтены дни и самой первой DDR-памяти c частотой шины данных 200 МГц (DDR200), которая сейчас пока еще используется в некоторых серверах, но уже практически не используется в десктопах.

На данный момент мэйнстримом в настольных системах можно считать память DDR266 или PC2100. Ее достаточно высокая полоса пропускания (2,1 Гбайт/с) позволяет почти комфортно чувствовать себя современным процессорам AMD Athlon XP и Intel Pentium 4, хотя последним все же не совсем хватает скорости DDR266. Поэтому на смену DDR266 в настольных системах корпорация Intel с недавнего времени активно продвигает память DDR333 или PC2700 с полосой пропускания 2,7 Гбайт/с , спецификация на которую была утверждена JEDEC всего несколько месяцев назад. Не отстают и платформы на процессорах AMD, где в связи с недавним переходом на системную шину 333 МГц требования к скорости памяти заметно возросли, и именно DDR333 рассматривается в качестве основной памяти будущих систем на Athlon XP. Хотя уже сейчас использование памяти DDR333 приносит весьма весомый прирост производительности для систем как на процессорах AMD , так и на процессорах Intel Pentium 4.

DDR400

А что же память DDR400? Во-первых, ее окончательная спецификация еще не утверждена JEDEC (о трудностях, с которыми это связано,  хотя в последнее время JEDEC стала проявлять повышенный интерес к DDR400. Во-вторых, DDR400 (или PC3200, полоса 3,2 Гбайт/с, что столько же, сколько для пары модулей RDRAM PC800!) - это не просто «разогнанная» по частоте DDR333, и изменения требуются более существенные (это обусловлено на четверть более высоким тепловыделением, иными таймингами работы и пр.), что закономерно требует более серьезных изменений в чипсетах и платах, нежели простая поддержка новых соотношений тактовых частот для тактовой частоты шины памяти 200 МГц. В третьих, Intel до недавних пор весьма прохладно относилась к DDR400, хотя, судя по последним сведениям, распространяемым, например, вездесущим «The Inquirer», лед тронулся, господа присяжные заседатели, и Intel будет поддерживать DDR400 в своих будущих чипсетах (Springdale, Canterwood) для новых процессоров P4 c системной шиной до 800 МГц. В четвертых, до сих пор лишь один чипсет nVIDIA nForce2 для процессоров AMD официально поддерживает DDR400, а в остальных чипсетах для процессоров AMD (это VIA KT400 и SiS746) и Intel (это SiS645DX, SiS648 и VIA P4X400) поддержка DDR400 носит неофициальный характер и оставляется на «совесть» производителей матерински плат (причем, как правило, дозволяется вставлять не более одного модуля DDR400 в плату для всех чипсетов, кроме nForce2). Наконец, в пятых, многочисленные тесты нынешних систем с памятью DDR400 показывают, что для современных процессоров AMD использование DDR400 не несет ровным счетом никаких выгод и даже в большинстве случаев ухудшает производительность ПК по сравнению с использованием качественных модулей DDR333 (а иногда системы на DDR400 работаю даже медленнее, чем грамотные системы на DDR266). Хотя для процессоров Intel Pentium 4 определенные дивиденды от использования DDR400 вместо DDR333 (и тем более - DDR266) все же есть.

Bопрос о DDR400 носит познавательно-теоретический - с заделом на будущее. Единственную практическую выгоду, которую прямо сейчас, на мой взгляд, можно извлечь из использования модулей DDR400 (если не считать почти незаметного прироста скорости на чипсетах SiS для Pentium 4), уже выпускаемых многими производителями памяти, несмотря на неутвержденную окончательно спецификацию, - это применение их в системах в качестве модулей DDR333, работающих с минимально возможными задержками (таймингами), чтобы еще на пару процентов поднять быстродействие ПК в приложениях (и/или обезопасить себя от сбоев, повысив надежность работы подсистемы памяти, используя модули с большим «запасом» по частоте). Ну а одержимые оверклокеры могут попытаться задрать запредельно при помощи модулей DDR400 частоту системной шины на нынешних чипсетах, чтобы «разогнать» свои процессоры как можно дальше.

С практической точки зрения нас будут интересовать, прежде всего, три основных вопроса:

1. С какими минимальными таймигами (задержками) модули разных производителей могут работать в качестве DDR400 или DDR333.

2. Каков запас быстродействия модулей по частоте (другими словами - разгоняемость).

3. Как на практике (в реальных приложениях) будет меняться производительность ПК при различных таймингах и частоте работы системной памяти.

Из первых двух пунктов вытекает еще один весьма важный для памяти пункт, который мы будем тестировать косвенно: надежность работы модулей в паспортном режиме эксплуатации.

Сперва взглянем на участников наших сравнительных испытаний - на сами модули DDR400:

1. Kingmax DDR-400 MPXB62D-68KX3 (объемом по 256 Мбайт)

2. Samsung PC3200U M368L3223DTM-CC4 (объемом по 256 Мбайт)

3. Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256 (объемом по 256 Мбайт)

4. A-Data DDR PC3200 на чипах Winbond (по 256 Мбайт)

5. A-Data DDR PC3200 на чипах Winbond (по 256 Мбайт, односторонний дизайн PCB)

6. TwinMOS PC3200 256 МВ CL2.5 на чипах Winbond (по 256 Мбайт)

7. Corsair CMX256A-3200C2 серии XMS3200v1.1 (по 256 Мбайт)

KingMaxDDR400CL3

Модули Kingmax DDR-400 MPXB62D-68KX3 по 256 Мбайт

Модули Kingmax DDR-400 MPXB62D-68KX3 (по 256 Мбайт) выгодно отличались от всех остальных чипами (собственного производства) в «более высокочастотной» упаковке BGA, более компактными размерами (высота этих модулей - 25 мм (дюйм), а всех остальных в этом обзоре - примерно 32 мм), что также должно улучшить высокочастотные свойства «подложек» (PCB) благодаря сокращению длины проводников и межсоединений.

KingMaxChip

Маркировка модулей и чипов Kingmax DDR-400 MPXB62D-68KX3

DDR400 от Kingmax появились на рынке самыми первыми - еще летом во время выставки Computex-2002. Маркировку модулей и самих BGA-чипов в паспортным временем доступа 5 нс можно посмотреть на фото выше. От остальных участников нашего обзора эти чипы отличаются вдвое меньшим объемом - 16 Мбайт (32M x 4) против 32 Мбайт у остальных - что потребовало размещения на плате 16 чипов для получения объема 256 Мбайт (на фото выше модуль показан с обоих сторон). Эти модули Kingmax предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц (400 МГц шина данных) с параметром CAS Latency (Column Access Strobe), равным 3 циклам тактовой частоты памяти. Это хуже, чем у модулей некоторых других производителей, однако модули Kingmax были способны стабильно работать и при меньших задержках .

Samsung DDR400

Модули Samsung PC3200U M368L3223DTM-CC4 объемом по 256 Мбайт

Модули Samsung PC3200U M368L3223DTM-CC4 объемом по 256 Мбайт построены на 32-мегабайтных (32Mит x 8) чипах в классической упаковке, что позволяет расположить их по одну сторону модуля, а другую сторону «отдать» под крайне нужный для таких высокочастотных изделий «экран» - общую землю и уменьшить тем самым количество слоев PCB, слегка удешевив модуль в целом и снизив перекрестные помехи. Дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули.

SamsungChip&Label

Маркировка модулей и чипов Samsung PC3200U M368L3223DTM-CC4

Компания Samsung Electronics (SEC) давно и заслуженно славится качеством своей памяти. И эти модули не стали исключением, продемонстрировав безупречно стабильную работу в паспортном режиме (с параметром CAS Latency, равным 3, на тактовой частоте 200 МГц). Однако «разгонный» потенциал этих модулей явно разочаровал, поскольку даже на частоте 333 МГц они не были способны работать при CAS Latency меньше 2,5, теряя драгоценные проценты производительности ПК. J

Представителем другого очень именитого производителя памяти являются модули Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256. Эти 256-мегабайтные модули имеют штатное значение CAS Latency =2.5 такта (для режима DDR400), что выгодно отличает их от аналогов Kingmax и Samsung.

DDR400_Kingston

Модули DDR400 Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256 объемом по 256 Мбайт (вид с обеих сторон)

Плата модулей использует двухсторонний дизайн, где чипы располагаются «вперемешку» по обеим сторонам PCB. Такой дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули и «набирать» из тех же чипов модули объемом 512 Мбайт.

DDR400_Kingston_chipDDR400_Kingston_label

Маркировка чипов памяти и модулей Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256

Чипы с маркировкой самой Kingston (на фото) емкостью по 32 Мбайт (32Мбит х 8) имеют время доступа 5 нс и обладают отличным запасом быстродействия.

DDR400_Kingston_pcb

Модули DDR400 Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256

Интересно, что подложки модулей изготовлены непосредственно на Тайване, а сами модули собраны в Штатах. Модули показали себя стабильными в работе и имели хороший потенциал по наращивания быстродействия - по крайней мере, заметно более высокий, чем предыдущие модули DDR400 от Kingmax и Samsung (см. таблицу далее). Возможно, лишь двухсторонний дизайн PCB не позволил им показать результаты наравне с лидераим нашего обзора.

Winbond

DDR PC3200 по 256 Мбайт почти безымянной компании «A-Data»

Модули DDR PC3200 по 256 Мбайт почти безымянной компании «A-Data» на чипах известной всем Winbond являются примером удачной памяти DDR400 от малоизвестного производителя. По всей видимости, эти модули используют плату референс-дизайна от самой Winbond, где чипы располагаются «вперемешку» по обеим сторонам PCB, имеющей 6 слоев металлизации (включая внутренние слои экрана-земли и питания).

Winbond-6layersPCB

WinbondChip

Дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули и «набирать» из тех же чипов модули объемом 512 Мбайт. Чипы Winbond емкостью по 32 Мбайт (32Мбит х 8) имеют время доступа 5 нс и обладают отличным запасом быстродействия. Модули по паспорту предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц с параметром CAS Latency, равным 2.5, что лучше, чем у двух предыдущих фигурантов.

Несколько позже появились модули DDR PC3200 «A-Data» по 256 Мбайт на чипах Winbond на подложках улучшенного дизайна. Новые подложки имеют разводку для одностороннего расположения чипов (как модули Samsung выше и TwinMOS ниже), что дополнительно улучшает их высокочастотыне свойства и удешевляет плату. Поэтому мы были вправе ожидать от этох "улучшенных" модулей лучших характеристик, что и подтвердили эксперименты - данные модули оказались одними из самых высокоскоростных модулей DDR400 в этом обзоре.

Winbond_New

DDR PC3200 по 256 Мбайт компании «A-Data» улучшенного (одностороннего) дизайна

Эти модули использут те же чипы памяти от Winbond, что и их предшественники, однако более свежие по дате выпуска. Возможно, это также скалазалось на улучшении их характеристик.

Winbond_Chip

Чипы Winbond, используемые в модулях DDRPC3200 от «A-Data»

Еще одним крайне удачным представителем модулей DDR400 на чипах Winbond стал TwinMOS PC3200 256 МВ CL2.5 (P/N MDSWBF08108L294KZFW0/T).

TwinMOS

TwinMOS-back

DDR400 на чипах Winbond стал TwinMOS PC3200 256 МВ CL2.5.

Построенный на тех же 5-наносекундных чипах W942508BH-5, что и предыдущий фигурант, этот модуль, однако, использует совсем другую плату - с односторонним расположением чипов, как и в модулях Samsung.

TwinMOSchips

TwinMOSlabel

Вероятно, более оптимальный дизайн PCB, чем у модулей от A-Data, позволил модулю от TwinMOS продемонстрировать самую быструю из всех модулей в этом обзоре работу - на частоте 444 МГц по таймингам 2-2-2-6 (при слегка повышенном напряжении питания). Напомню, что по паспорту они предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц с параметром CAS Latency, равным 2.5. Дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули.

Corsair

Модули Corsair Memory CMX256A-3200C2 серии XMS3200v1.1

Последним и, вероятно, самым «вкусным» участником нашего обзора являются 256-мегабайтные модули канадской компания Corsair Memory CMX256A-3200C2 серии XMS3200v1.1 - eXtreme Memory Speed ("XMS"). Несмотря на то, что они предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц с параметром CAS Latency, равным 2 (!), побывавшие у нас на испытаниях модули использовали чипы Winbond W942508BH-6 с временем доступа 6 наносекунд вместо 5, необходимых для «честных» 200 МГц тактовой частоты шины памяти. Тем не менее, модули прекрасно справлялись со своей задачей и демонстрировали потрясающе быструю работу. Видимо, чипы W942508BH-6 пpоходили специальный отбор (скорее всего уже в самой компании Corsair Memory) на предмет работы на повышенных частотах.

CorsairWinbondChip

CorsairLabel

Плата этих модулей использует собственный дизайн PCB от Corsair, похожий на референс-дизайн от Winbond, но не тот же самый. Модули показали превосходную работы на повышенных частотах при пониженных таймингах и рекомендуются всем экстрим-оверклокерам и тестерам железа.

CorsairDDRinside1

CorsairDDRinside2

Модули поставляются с уже установленным алюминиевым радиатором (между ними и чипами памяти расположена двухсторонняя термолипучка). Попутно замечу, что у этой компании есть и более быстрые модули: CMX256-3500C2 серии XMS3500 с CAS=2.0 на частоте 434 МГц и такие же объемом 512 Мбайт.

После краткого знакомства с участниками тестирования переходим к испытаниям. Поскольку на данный момент единственным официально поддерживающим память DDR400 чипсетом является nVIDIA nForce2, и только этот чипсет из всех нынешних способен полноценно поддерживать DDR400 - до трех модулей одновременно суммарным объемом до 3 Гбайт на разных шинах адреса и данных - мы наши тесты модулей памяти будем проводить именно на плате ASUS A7N8X на этом чипсете. К тому же, чипсет nForce2 обладает непревзойденным быстродействием при работе с процессорами AMD Athlon XP на системной шине 333 МГц (особенно в синхронном режиме с памятью). Попутно мы выясним, какие выгоды сулит использование меньших задержек при работе этого нового чипсета с памятью (влияние настроек BIOS Setup на производительность плат на чипсетах VIA мы уже неоднократно проверяли.

Конфигурация нашей тестовой системы:

1. Системная плата ASUS A7N8X (ревизия 1.03, BIOS 1015 beta 3)

2. Процессор AMD Athlon XP 2800+ (системная шина 333 МГц)

3. 512 Мбайт системной памяти двумя модулями (двухканальное использование)

4. Видеоускоритель ASUS V8460 Ultra (драйверы Detonator v40.72 WHQL)

5. Винчестер IBM серии Deskstar 120GXP объемом 80 Гбайт

6. Microsoft Windows XP Professional Service Pack 1

Основные настройки частоты и таймингов работы памяти на плате A7N8X показаны на фото ниже. Наш выбор на эту плату при использовании модулей DDR400 пал еще и потому, что она пока единственная позволяет гибко изменять только частоту работы памяти БЕЗ изменения частот системной шины и AGP (PCI). Для этого в BIOS Setup платы есть специальный пункт настроек, в котором можно выставить процентное соотношение тактовых частот шин FSB и DDR. Так, при FSB 333 МГц можно установить частоту памяти, равную 333, 400, 408 и 444 МГц (и другие часты вне этого диапазона, см. фото), а при FSB 266 МГц можно также установить память на 356 МГц (2x178).

BIOS_DDR400

Настройки тактовой частоты работы памяти на плате ASUS A7N8X.

При этом в BIOS Setup этой платы можно менять следующие тайминги работы памяти:

BIOS_DDR400timings

Настройки таймингов работы памяти на плате ASUS A7N8X.

Далее в нашей статье мы будем указывать тайминги работы памяти сокращенно четырьмя цифрами (например, 2.5-2-3-6), подразумевая, что они следуют в таком порядке:

1. CAS Latency Time (2.0, 2.5 или 3.0)

2. RAS Precharge Delay (Trp) (2 или 3)

3. RAS to CAS Delay (Trcd) (2 или 3)

4. Active Precharge Delay (Tras) (5, 6, 7 или 8)

Тактовая частота процессорной шины при наших испытаниях показана на скриншоте программы WCPUid.

WCPUid

Тактовая частота процессора и его шины при наших испытаниях

Стресс-тест модулей памяти проводился при номинальном для этой платы напряжении питания памяти (2,6 вольт вместо стандартных для DDR266/333 двух с половиной вольт, впрочем, это находится в пределах допусков модулей по питанию). На радиаторе северного моста чипсета я установил вентилятор, поскольку в процессе испытаний он прилично разогревался, и стабильность работы модулей памяти на указанных предельный настройках при этом заметно падала. Под Windows и DOS запускались различные приложения (включая специально подобранное архивирование в WinRAR 3.00 c большим размером словаря и трехмерные задачи в тесте 3Dmark 2001 и др.) и специальные программы проверки памяти. Результаты успешной работы разных модулей на частотах от 333 до 444 МГц с разными таймингами показаны в таблице 1. Ячейки таблицы содержат минимальный тайминг, при котором модули в паре успешно прошли все наши стресс-тесты на указанной частоте. При более агрессивных, чем указано в таблице, таймингах работа модулей на этих частотах была нестабильна (наблюдались сбои) либо вообще невозможна. По одиночке все из побывавших у нас модулей показали точно такие пределы работоспособности, что и в паре на плате A7N8X (в силу высокого качества платы и двухканальности использования памяти).

Таблица 1. Быстродействие модулей памяти DDR400 разных производителей на разных частотах при минимально возможных таймингах работы.

Модули памяти

DDR333

DDR356

DDR400

DDR416

DDR444

Kingmax DDR-400

2.5-2-2-6

2.5-2-2-6

2.5-3-3-6

2.5-3-3-6

-

Samsung PC3200U

2.5-2-3-6

2.5-3-3-6

2.5-3-3-6

2.5-3-3-6

2.5-3-3-6

A-Data DDR PC3200

2-2-2-6

2-2-2-6

2-2-3-6

2-2-3-6

2-2-3-6

Kingston KVR400

2-2-2-5

2-2-2-5

2-2-2-5

2-2-3-6 *)

2.5-3-3-6 *)

A-Data PC3200 (singleside)

2-2-2-5

2-2-2-5

2-2-2-6

2-2-3-6

2-2-3-6

Corsair CMX256A-3200C2

2-2-2-5

2-2-2-5

2-2-2-6

2-2-3-6

2-2-3-6

TwinMOS PC3200

2-2-2-5

2-2-2-5

2-2-2-5

2-2-2-5

2-2-3-6

*) Примечание: модули Kingston KVR400X64C25/256 работали как DDR444 только при напряжении питания 2,8 вольт, а как DDR416 при питании 2,8 вольт могли работать и с таймингом 2-2-2-6.  

Прежде всего, заметим, что наши результаты относятся только к тем конкретным экземплярам (парам) модулей, которые побывали на наших испытаниях, и ни в коем случае не претендуют на все изделия этих производителей с указанной выше маркировкой. Тем не менее, поскольку нынешние технологии и изделия микроэлектроники, как правило, вылизываются «под завязку», наши цифры помогут дать представление о средних возможностях большинства однотипных моделей.

И еще - показанные в таблице данные (модули расположены от самого медленного вверху к самому быстрому внизу) относятся именно к работе на плате A7N8X. При работе на платах на чипсетах VIA (KT400, KT333), SiS (645/648) и Intel (845PE при разгоне) пределы работоспособности этих же модулей были несколько ниже (лишь на чипсете Intel - почти такие же). Поэтому для использования DDR400 с платами на других чипсетах следуют делать некоторые поправки (как минимум, на ступень «загрублять» некоторые тайминги). В частности, для KT400 «штатным» для DDR400 считается тайминг 2.5-4-4-8, что, очевидно, сразу «погубит» всю скорость платы с такой памятью.

Комментируя результаты таблицы 1, можно отметить неудачу PC3200-модулей Samsung: лишь на частоте 266 МГц (то есть как DDR266!) они «осилили» тайминг 2-2-2-6, и уже на 324 МГц при таких таймингах были сбои. Модули DDR-400 от Kingmax тоже не блеснули запасом скорости: DDR333 лишь с CL=2.5 (до 356 МГц с 2.5-2-2-6), а DDR400 - только по 2.5-3-3-6. Зато отлично показали себя все модули на чипах производства Winbond: «небрендовая» A-Data разогналась до 444 МГц при 2-2-3-6 (на DDR400 по 2-2-2-6 были сбои), почти так же повели себя модули PC3200v1.1 от Corsair - правда, они все-таки осилили DDR400 по 2-2-2-6 (но лишь на этой конкретной плате). И самой лучшей оказалась память DDR400 от TwinMOS на этих же чипах: без проблем работа по 2-2-2-5 как DDR333, DDR400 и даже DDR416! Эта память работала даже на KT400 по таймингу 2-2-2-6 как DDR400, в отличие от всех остальных .Жаль, что пока у нас DDR-память от этого известного производителя крайне сложно найти в продаже. Брендовые модули Kingston ValueRAM DDR400 также показали себы очень достойно - на уровне добротных модулей на чипах Winbond - и могут быть рекомендованы для разностороннего использования. Вероятно, микросхемы на этих модулях Kingston являются отобранными и перемаркированными чипами, произведеными на мощностях Winbond. Видимо в силу недостатка платы A7N8X или ее BIOS ни один из данных модулей не смог запустить плату при частоте памяти DDR 500 МГц (даже с самыми «щадящими» настройками).

В заключение нашего обзора мы рассмотрим тесты производительности памяти DDR333 и DDR400 при различных настройках таймингов в BIOS Setup платы ASUS A7N8X. Конфигурация тестовой системы - та же. Для тестов производительности мы использовали только двухканальную конфигурацию памяти .

Результаты для разных частот и таймингов работы памяти показаны на диаграммах. Сначала взглянем на результаты тестов скорости работы памяти непосредственно («желтые» диаграммы).

Sandra2003memory

Скорость потоковой работы с памятью по Sandra 2003

По тесту Sandra 2003 Memory Bandwidth быстрее всего на чипсете nForce2 работает синхронная с FSB 333 МГц память DDR333, причем влияние таймингов CAS Latency Time и Active Precharge Delay (Tras) на скорость потоковой работы памяти минимально (этого и следовало ожидать). Более того, неожиданно меньшая величина Tras даже слегка замедляет потоковую работу. Зато «тройки» для RAS Precharge Delay (Trp) и RAS to CAS Delay (Trcd) закономерно снижают потоковую скорость памяти, правда, всего на 0.7%. Интересно другое: несинхронная DDR400 даже при ТЕХ ЖЕ таймингах работы существенно проигрывает в потоковой работе синхронной DDR333! А при таймингах 2.5-3-3-6, типичных для нынешних модулей DDR400, ее работа становится и вовсе медленной - на 3,3% по сравнению с лидером. Память DDR444 берет вверх над DDR400 даже при чуть худшем тайминге Trcd, хотя и отстает в потоковой скорости от заметно более медленной по частоте, но синхронной DDR333.

SciMarkMemBW

Полоса пропускания памяти по тесту Sciance Mark v2.0

Почти полностью аналогичная картина наблюдается в тесте пропускной способности памяти пакета Science Mark v2.0: отставание «типичной» DDR400 от хорошей DDR333 на nForce2 при потоковой работе (чтении) составляет около 3%, а «быстрая» DDR444 отстает даже от DDR333 со скромными таймингами.

CachememRW

Скорость чтения и записи памяти по тесту Cachemem.

Тесты скорости чтения и записи памяти по программе Cachemem 2.65MMX показывают, что скорость записи в память от настроек чипсета nForce2 и даже от тактовой частоты памяти практически не зависит (!) - не будем забывать, что в этом чипсете работает блок интеллектуального кэширования данных, DASP. Зато скорость чтения памяти зависит от настроек: вполне закономерно быстрее всех читает память синхронная DDR333 при настройках 2-2-2-5, за ней идут CL-2-2-6, причем интересно, что при CL=2 и CL=2.5 скорость чтения памяти не меняется! Опять мы наглядно чувствуем работу DASP, поскольку в более простых чипсетах параметр CAS Latency оказывает самое существенно влияние на скорость чтения памяти. Наконец, несинхронная память DDR400 и DDR444 невзирая на тот самый блок предсказания обращений DASP читает память существенно медленнее, чем меньшая по частоте, но синхронная DDR333, причем тут DDR444 с худшим значением Trcd (3 против 2) при прочих равных таймингах читает память хуже DDR400! То есть мы видим, что совсем не нужно порой гнаться за запредельной тактовой частотой, но гораздо важнее иногда использовать лучшие (меньшие) тайминги работы памяти и, особенно, синхронный ее режим. «Типовая» DDR400 отстала по чтению от хорошей DDR333 более чем на 15%!

MemoryLatency

Задержки при работе с памятью по тестам Sciance Mark v2.0 и Cachemem 2.65

Окончательно поставить штамп «профнепригодности» DDR400 для современных систем c FSB 333 МГц (и 266 МГц тоже) поможет тест латентности памяти. Здесь преимущество синхронной DDR333 над DDR400 составляет почти полтора раза, параметр CAS Latency почти не влияет на латентность памяти (по крайней мере, в синхронном режиме работы), зато влияют RAS Precharge Delay (Trp) и RAS to CAS Delay (Trcd) по тесту Science Mark (но не по Cachemem), однако в любом случае DDR333 быстрее даже, чем DDR444 с ЛУЧШИМ таймингом работы!!! «Типовая» DDR400 с таймингом 2.5-3-3-6 отстала безнадежно.

CPUmark99

Производительность систем с разной памятью в тесте CPUmark 99

Переходим к тестам в реальных приложениях. Для тестов испытания влияния таймингов DDR400 и DDR333 мы отобрали из нашего пакета лишь несколько самых чувствительных и характерных тестов. Синтетический CPUmark 99 по-прежнему «чуток» ко всем изменениям в системе и с хорошей точностью повторяет результаты «потоковых» тестов полосы пропускания памяти: DDR333 с разными параметрами CAS Latency Time и Active Precharge Delay (Tras) практически одинакова в работе и немного отстает при увеличении значений RAS Precharge Delay (Trp) и RAS to CAS Delay (Trcd). Зато DDR400 и DDR444 даже при таких «продвинутых» и редких на практике настройках как 2-2-2-6 уступает синхронной работе nForce2 заметно, а типовая DDR400 медленнее DDR333 на 4%.

FlasKDivX502

Производительность систем с разной памятью в тесте кодирования видео MPEG4

Еще более чувствительны к скорости памяти тесты кодирования видео в MPEG4 и архивирования WinRAR 3.00. И если «потоковое» кодирование здесь показывает не столь большую разницу в скорости при различных настройках - типовая DDR400 отстает от хорошей DDR333 примерно на 3%, то в тесте архивирования с большим размером словаря (4 Мбайт) разница между этими конфигурациями существенна и доходит до 13%, причем DDR400 и даже DDR444 всегда отстает от DDR333 даже при лучших таймигнах работы!

WinRAR300

Производительность систем с разной памятью в тесте архивирования WinRAR 3.00

Снова, как и в тестах латентности, мы видим, что влияние CAS Latency и Tras для этого чипсета ничтожно (при условии синхронной работы памяти и FSB), а Trp и Trcd могут заметно замедлить работу даже в реальных приложениях (до 3-6% по WinRAR).

SciMark2bAr

Производительность систем с разной памятью в тесте научнах расчетов (расчет атома аргона)

В тесте научных расчетов из пакета Science Mark 2.0 влияние памяти и таймингов не подтвердилось, и все системы работали с примерно одинаковой скоростью.

3Dmark2001SE

Производительность систем с разной памятью в тесте 3DMark 2001SE

При переходе к трехмерным играм мы снова видим заметное влияние настроек и частоты памяти. В комплексном пакете 3Dmark 2001 SE синхронная память верховодит, не обращая внимания на варьирование CAS Latency и Tras и немного сдавая при увеличении Trp и Trcd. А несинхронная DDR444 и DDR400 приводит к отставанию ПК в этом тесте на 3-4%, причем прирост частоты DDR444 по сравнению с DDR400 съедается увеличением всего одной настройки Trcd с 2 до 3.

RTCW

Производительность систем с разной памятью в тесте RTCW

Не оставляет шансов DDR400 выжить здесь и OpenGL-игра Return to Castle Wolfenstein: точно та же карtина, что и в пакете 3Dmark 2001 SE, только разница между системами увеличивается - до 2% при увеличении Trp и Trcd с 2 до 3 для DDR333 и DDR400 и до 4-6% отставания несинхронной DDR400 и DDR444 от синхронной DDR333. CAS Latency и Tras опять практически не влияют на скорость системы.

UT2003bench

Производительность систем с разной памятью в тесте UT2003

Наконец, свежая DirectX-игра Unreal Tournament 2003 лишний раз укрепляет нашу уверенность в сделанных выводах: та же самая картина, что и в предыдущих игровых (и неигровых) тестах, практическая независимость от настроек CAS Latency и Tras (в пределах указанных, при CL=3 и Tras=8 мы тесты не проводили), спад на 2-3% для «троек» в Trp и Trcd, проигрыш 5-6% для DDR400/444 при быстрых (уникальных) таймингах, и до 8,5% проигрыша «типовой» DDR400 по сравнению с той же памятью, работающей как DDR333 с хорошими настройками в BIOS Setup. Выигрыша от использования DDR444 вместо DDR400 практически никакого. Повторюсь, что все эти закономерности справедливы лишь для чипсета nVIDIA nForce2 при использовании FSB 333 МГц. Для чипсетов VIA ситуация может немного поменяться, хотя наши предыдущие тесты показали, что и в том случае DDR400 не несет практически никакого выигрыша. Что ж, остается ждать новых чипсетов, оптимизированных для использования именно DDR400, чтобы понять, сможет ли этот тип памяти завоевать себе право на жизнь в наших ПК.

10.04.2003 Сравнительный анализ модулей памяти: эффективность автоматического определения задержек на nForce2 с 333 МГц FSB

В сегодняшнем обзоре мы рассмотрим память от четырех производителей: Corsair, Kingston, Mushkin, и OCZ. Все модули, которые мы сегодня рассмотрим, находились в нашей тестовой лаборатории от шести недель до четырех месяцев. В результате мы получили возможность проверить работу памяти на достаточно большом количестве разных чипсетов и материнских плат в синхронном, асинхронном, и "разогнанном" режимах. Сегодня мы подробнее остановимся на целесообразности автоматической установки задержек с помощью SPD (Serial Presence Detect) при частоте FSB 166 МГц, а в следующих статьях мы рассмотрим факторы, влияющие на производительность, и протестируем ручные установки задержек памяти.

Почему SPD?

Мы решили протестировать задержки, определяемые SPD, в первой статье по нескольким причинам. Задержки памяти чужды большинству из нас, их не так легко понять, и, поэтому, их значения обычно не изменяют. Большинство материнских плат используют SPD по умолчанию, что и позволило нам провести тестирование скорости работы всех модулей памяти при параметрах, определенных производителем. Во-вторых, память, которую мы тестировали, рассчитана на разные скорости работы, мы сможем проанализировать скорость работы памяти при синхронном режиме (166/166) в сравнении с асинхронным (166/200, плюс еще несколько вариантов). Большая часть продаваемой сейчас памяти обозначается как РС3200 или выше, но получит ли конечный пользователь увеличение производительности от работы памяти на такой скорости?

Мы сравним производительность в "разогнанном" синхронном режиме и режиме с ручными установками в наших следующих статьях.

В нашем текущем обзоре мы протестировали следующие модули памяти:

(Примечание: на фотографиях изображены модули объемом 256 Мб, действительный объем указан отдельно)

Corsair XMS 3200 v1.1, 256 Мб DIMM   Kingston HyperX 3500, 512 Мб DIMM
Corsair XMS 3200 v1.1, 256 Мб DIMM Corsair XM3202v 1.1, 256 Мб DIMM Kingston HyperX 3500, 512 Мб DIMM

Mushkin PC3500, 256 Мб DIMM    OCZ PC2700, 512 Мб DIMM

Mushkin PC3500, 256 Мб DIMM OCZ PC2700, 512 Мб DIMM

Почему в тестировании используются модули разной частоты и объема?

Мы не планировали рассматривать модули с различными частотами, но так как в этой статье мы пытаемся дать вам всестороннюю картину производительности, имеет смысл исследовать память на различных частотах, особенно для сравнения производительности в синхронном и асинхронном режимах работы. Будет ли PC3700 при асинхронной работе показывать лучшую производительность, чем PC3500 тоже при асинхронной работе? По логике вещей - должна, но как будет на самом деле – вы увидите впереди.

Несоответствие модулей памяти по объему можно объяснить наличием у нас лишь тестовых экземпляров. Хотя в идеальном варианте мы должны были тестировать модули памяти одинакового объема, мы специально подобрали такие тесты, которые позволяют избежать влияния размеров модулей памяти на результат. Замеченная нами разница в скорости работы во всех тестах была менее половины процента – что вполне можно считать погрешностью измерений.

Подробнее о модулях памяти

Corsair XMS 3200 v1.1, 256 Мб DIMM:

Corsair XM3202v 1.1, 256 Мб DIMM:

Продолжительность использования: шесть месяцев (XMS 3200) / три месяца (XMS 3202)

Мы протестировали два различных типа Corsair XMS3200, которые, хотя и выглядели почти одинаково (с одинаковым номером модели), показывали различные параметры при использовании определения задержек с помощью SPD, как мы покажем чуть позже. Единственное различие между ними заключалось в том, что более старый был помечен как Corsair XMS3200, а более новый - XMS3202. Corsair сегодня находится в первом эшелоне производителей памяти для энтузиастов. Качество протестированных модулей XMS Corsair нас сильно порадовало.

Corsair XMS3200 оказался наиболее совместимым/стабильным модулем памяти из всех, когда-либо тестировавшихся нами. Мы не хотим сказать, что другие модули памяти были несовместимы (все они были хороши), но XMS 3200 работал на материнских платах, имеющих дефекты и повреждения, где другие модули выдавали ошибки. В этом смысле XMS3200 сильно опередила всех своих конкурентов.

Kingston HyperX KHX3500

Продолжительность использования: три месяцаХотя Kingston была крупнейшим производителем памяти для бюджетных систем в течение многих лет, HyperX – ее первая попытка прорваться на рынок памяти для энтузиастов. Новая линейка достаточно рискованна для нее – сможет ли компания избавиться от клейма производителя памяти бюджетного уровня и предстать новым игроком на рынке high-end памяти? Время покажет.

Mushkin PC3500

Продолжительность использования: четыре месяцаХотя Mushkin не является столь широко известной компанией, как Corsair или Kingston, память этого производителя имеет безупречную репутацию, и PC3500 не является исключением из этого правила. Несмотря на то, что Mushkin не является компанией с большим оборотом, многие покупатели относят ее к верхнему уровню.

OCZ 2700 / 3200 EL / 3500 EL / 3700 EL

Продолжительность использования: два месяцаОбразец памяти от OCZ тестировался нами меньше, чем все остальные продукты по времени, но гораздо интенсивнее, для того, чтобы полностью убедиться в надежности продукта (включая удаление радиатора – мы хотели узнать, чьи чипы установлены на модуле). OCZ, как упоминалось выше, производит память профессионального уровня, стратегия ее маркетинга сильно напоминает стратегию Corsair. Маркировка "EL" на модулях памяти производства OCZ означает "уменьшенные задержки/Enhanced Latency" и предполагает работу памяти при пониженных задержках – далее мы увидим преимущества этой технологии в условиях нашего тестирования.

От работы в асинхронном режиме вы не получите прироста скорости

Как легко заметить по результатам, выигрыша от работы памяти в асинхронном режиме нет. Хотя пропускная способность памяти остается неизменной, задержки при работе могут существенно увеличиться. nVidia это официально признала и, для достижения максимальной производительности, рекомендует использовать чипсет nForce2 в синхронном режиме.

Это совсем не означает, что не имеет смысла покупать более быструю память, чем РС2700. Ходят слухи о переходе AMD на шину FSB с частотой 400 МГц (которая потребует, по крайней мере, PC3200), а будущие P4 и Hammer почти со стопроцентной уверенностью будут работать на еще больших частотах FSB/памяти. При таких низких ценах на память как сегодня, мы вскоре сможем увидеть появление на рынке PC3700 модулей.

Почему режим улучшенных задержек (Enhanced Latency) не дает преимуществ?

Мы ожидали увидеть лучшие значения задержек памяти EL RAM от OCZ – уменьшение задержек представляет собой одну из целей при разработке RAM. С другой стороны, это не имеет смысла при асинхронной работе, где проигрыш настолько велик, что значение задержек памяти ни на что не влияет. Ещё сильнее запутывает ситуацию то, что даже после нашей настройки OCZ EL RAM для синхронной работы, мы не увидели значения задержек лучше, чем у модуля PC2700 этой же компании.

Когда мы спросили OCZ о причинах появления такой ситуации, мы получили ответ, что при частоте ниже 200 МГц EL RAM использует стандартные установки SPD, и только при работе на частоте FSB 400 МГц или выше (в синхронном режиме) память в должной мере себя проявляет. Результаты такого тестирования выходят за рамки этого обзора, но будьте уверены, мы проверим все заявления OCZ немного позже и предоставим вам результат.

Ценовой фактор

Хотя OCZ PC2700 является безусловным победителем по результатам нашего тестирования, давайте примем во внимание ценовой фактор, и посмотрим, что изменится. Мы будем сравнивать цены на модули памяти ёмкостью 256 Мб. Все цены взяты по состоянию на 18 марта 2003. Цены в обзоре не будут обновляться для отражения текущего состояния. Учтите, цены изменятся.

Corsair XMS 3200 v1.1, 256 Мб DIMM: цена неизвестна

К сожалению, мы не смогли выявить различия в прайсах между обычной XMS 3200 и её новой версией, мы предполагаем, что Corsair убрала старую версию с рынка.

Corsair XM3202v 1.1: $81

Kingston HyperX 3500: $76

Mushkin PC3500: цена неизвестна

Как видите, мы не нашли цены на Mushkin PC3500. Цена на 256 Мб модуль PC3200 её памяти сегодня составляет $89, что делает её немного дороже других модулей, представленных здесь.

OCZ PC2700: $55

OCZ PC3200 EL: $70

OCZ PC3500 EL: $77

OCZ PC3700 EL: $95

Как можно увидеть все виды памяти достаточно конкурентоспособны по своей цене , верхнюю позицию по соотношению цена/производительность занимает OCZ.

Разгон

Дело дошло до разгона FSB/памяти, сегодня вокруг этого ходит огромное количество разговоров. Во-первых, как мы показали выше, польза от асинхронного режима работы нулевая. Высокой скоростью асинхронной работы DDR можно лишь хвастаться, но больше она ни на что не нужна. Вы не получите прироста пропускной способности и значительного уменьшения задержек. С другой стороны, синхронный режим предлагает огромные возможности для увеличения пропускной способности, но здесь ее гораздо труднее увеличить, так как вся подсистема памяти должна выдерживать "разгон". А здесь материнские платы не имеют достаточного запаса стабильности при частоте шины FSB выше 200 МГц, особенно в асинхронном режиме работы памяти. 215-220 МГц обычно бывает пределом.

Следует отметить, что вся память, протестированная нами, включая PC2700, работала на частоте 400 МГц без поднятия напряжения или каких-либо еще настроек.

Заключение

Ещё раз рассмотрим всех производителей (и их продукты).

Corsair: Хотя Corsair проиграла OCZ, проигрыш был незначителен, компания удерживает двойную победу, будучи поставщиком одних из самых надежных и самых совместимых модулей памяти на рынке производительной DRAM. За шесть месяцев мы протестировали эти модули памяти на материнских платах со всеми современными чипсетами, как для платформы AMD, так и для платформы Intel. От nForce2 до Granite Bay и SiS 655, XMS3200 (по SPD 2700) оказалась абсолютным чемпионом. Мы не тестировали XMS 3202 (по SPD 3200) так долго, но нет причин ожидать от нее чего-то другого. Кстати, помните, что маркировки 3200 и 3202, хотя и присутствуют на самих модулях памяти Corsair, не встречаются ни на одном веб-сайте. Мы можем сказать, что единственное различие между ними заключается в том, что 3200 RAM по SPD - 2700, а 3202 по SPD - 3200.

Kingston: С памятью HyperX Kingston успешно вошла на производительный рынок, избавившись от клейма бюджетного производителя. Цены на эти модули памяти конкурентоспособны, а высокая марка производителя этом сегменте рынка должна помочь реализовать большое количество модулей HyperX. Если кто-то из вас удивится, может ли память производства Kingston, ранее считавшейся производителем бюджетного уровня, быть рядом с такими брэндами, как Corsair - ответ будет утвердительным.

Mushkin: Mushkin, пожалуй, является компанией, которую труднее всего охарактеризовать. Здесь можно много о чем говорить, однако компания поддерживает имидж производителя надежных продуктов. Она не так бросается в глаза, как ориентированная на энтузиастов Corsair (по крайней мере, пока), но она обладает прекрасной репутацией на рынке DRAM.

OCZ: Первое место досталось основной серии OCZ PC2700 во всех тестах скорости (по иронии, самой медленной, дешевой и принадлежащей к самому нижнему уровню из всех протестированных). Очевидно, что OCZ идет отличным от других компаний путем, её продуктам полностью доверяют. Когда мы будем говорить о производительности памяти при частоте работы 400 МГц и выше, мы протестируем EL RAM от OCZ и посмотрим, сможет ли она выбраться в лидеры по результатам нашего тестирования на этой частоте.

 15.4.2003  Kingston представила модули памяти для плат на чипсете Intel 875P

Компания Kingston Technology представила новые модули оперативной памяти типа DDR400 (PC3200), предназначенные для использования с чипсетом i875 (кодовое имя - Canterwood). Набор системной логики Intel 875P поддерживает процессоры с системной шиной, работающей на частоте 800 МГц, а также с технологией Hyper-Threading.

Новые модули памяти DDR400 компании Kingston, были протестированы на работоспособность с материнскими платами Intel D875PBZ (кодовое название - Bonanza), Asus P4C800 и некоторыми другими. Тестирование модулей Kingston проводилось также и в лабораториях Intel, после чего эти продукты были внесены в официальный список модулей памяти, рекомендованных к использованию с чипсетом i875.

Модули PC3200 Kingston изготовлены на основе микросхем, соответствующих требованиям, предъявляемым к чипам стандартов DDR333 и DDR400. Новые 184-контактные модули имеют тайминги 3-4-4 и 3-3-3. Пиковая пропускная способность модулей - 6,4 Гб/с (при использовании двухканального контроллера памяти).

Компания Kingston в настоящее время предлагает следующие модификации модулей памяти DDR 400:

KVR400X64C3/256 256 Мб, 400 МГц, CL3 (3-4-4)

KVR400X72C3/256 256 Мб, 400 МГц, CL3 (3-4-4), ECC

KVR400X64C3/512 512 Мб, 400 МГц, CL3 (3-4-4)

KVR400X72C3/512 512 Мб, 400 МГц, CL3 (3-4-4), ECC

KVR400X64C3A/128 128 Мб, 400 МГц, CL3 (3-3-3)

KVR400X64C3A/256 256 Мб, 400 МГц, CL3 (3-3-3)

KVR400X72C3A/256 256 Мб, 400 МГц, CL3 (3-3-3), ECC

KVR400X64C3A/512 512 Мб, 400 МГц, CL3 (3-3-3)

KVR400X72C3A/512 512 Мб, 400 МГц, CL3 (3-3-3), ECC

27.04.2003   Samsung запустила серийное производство гигабайтных модулей памяти DDR266 и DDR333. Оптимизированные для использования в ноутбуках на платформе Centrino модули имеют габариты вдвое меньшие, чем стандартные DIMM-модули, устанавливаемые в настольные ПК.

Новая память получила название SODIMM - Small Outline Dual Inline Memory Modules. Модуль состоит из 16 микросхем по 512 Мбит, выстроенных в два ряда. Новая память изготавливается по техпроцессу 0,1 микрон и имеет 200 выводов. Габариты модуля - 67,6х31,75 мм при высоте 3,8 мм.

Модули SODIMM устанавливаются в новый конструктив, названный sTSOP (shrink Thin Small Outline Package). Его размеры - 11,76х11,4 мм. sTSOP оборудован медной рамкой, хорошо отводящей тепло от микросхем. Это немаловажно для пользователей ноутбуков, не оборудованных вентилятором для отвода тепла. Габариты и ёмкость новой памяти позволят создавать мобильные компьютеры с увеличенным ОЗУ, либо уменьшить размеры ноутбуков.

05/05/2003  Новая DDR-память для оверклокеров от OCZ Technology

OCZКомпания OCZ Technology, известная своими дорогими и производительными модулями оперативной DDR-памяти, предназначенными в первую очередь для энтузиастов, для которых первостепенное значение имеют скорость и "продвинутость" ПК, а вовсе не количество затраченных на него денег, в скором времени, по неофициальным данным, планирует начать поставки новых модулей памяти - EL DDR Platinum Edition PC3700 (466МГц):

Будут доступны модули емкостью 256Мб и 512Мб; память имеет пожизненную гарантию и на рынок будет поставляться с руководством пользователя - судя по всему, в Retail-упаковке.

P.S. В общем, судя по описанию новинка будет сильно похожа на память OCZ EL DDR PC-3500 Platinum Edition, которая, как известно, имеет результирующую частоту в 433МГц, но предназначена для работы на более высоких тактовых частотах (см. выше) и, соответственно, более производительна.

10/05/2003 Elpida будет выпускать память DDR-2

Как ожидается, компания Elpida в ближайшее время начнет массовый выпуск памяти чипов памяти DDR2 на фабрике в Хиросиме уже в июне или июле этого года, а к четвертому кварталу объем производства памяти достигнет 500 тыс. чипов в месяц.

Первые чипы, выполненные по 0,11-микронному процессу, будут иметь пропускную способность 533 Мбит/с и будут полностью соответствовать стандарту PC-4200. В настоящий момент Elpida разрабатывает чипы, соответствующие стандарту PC-5400, которые смогут обеспечить пропускную способность, равную 667 Мбит/с. Однако самое главное для новой памяти – найти рынок сбыта, а это будет не так-то и просто – серверные чипсеты Intel, для работы с которыми и предназначается в основном DDR2, будут готовы только в следующем году.

29 мая 2003 года   DDR для КПК

Вот уже и мобильные устройства, нуждающиеся в оперативной памяти больших объемов, начинают постепенно привыкать к аббревиатуре DDR. Компания Elpida создала сэмплы чипов первой в индустрии памяти Mobile SDRAM DDR емкостью 256 Мбит. Как вы, наверное, уже догадались, новая память предназначена для использования во всяких там мобильниках, карманных компьютерах, цифровых камерах и т.д. При этом, ее основным отличием от "старшей" DDR является сниженное в 10 раз энергопотребление, что очень важно для мобильных устройств.

Сейчас Elpida производит чипы в соответствии с технологическим процессом 0.11 микрон. Образец поступит в массовое производство в июне этого года, то есть буквально завтра, а стоимость его будет составлять примерно $27.50. Это не так дорого, учитывая, что чипы без внутреннего удвоения частоты будут стоить $25. Их производство планируется начать в августе.

8 июня 2003 года     Память GEIL DDR 433 Golden Dragon появляется в продаже

Наборы оверклокерской двухканальной памяти DDR стали поставляться производителями сразу после появления на рынке массовых двухканальных чипсетов. До недавнего времени самым массовым сегментом потребления двухканальной памяти оставались владельцы систем на базе чипсета NForce2, поскольку конкурирующий Granite Bay от Intel популярным назвать было нельзя, а двухканальные чипсеты других производителей не успели получить распространение.

Похоже, что с выходом чипсетов Springdale, Canterwood и NForce 2 Ultra 400 ситуация со спросом на двухканальную память DDR 400 больше начинает напоминать ажиотажную, поскольку даже производители памяти признаются, что былой избыток модулей DDR 400 разошелся за считанные недели, а существующих производственных мощностей может не хватить для насыщения спроса, ведь DDR 400 предсказывается от 40% до 70% рынка памяти по состоянию на конец этого года.

Oверклокеров не всегда может устроить обычная память DDR 400, ведь при разгоне этот последний из сертифицированных JEDEC типов памяти поколения DDR-I работает на пределе возможностей. Для особо требовательных крупнейшими брендами предлагаются готовые комплекты двухканальной памяти с прицелом на хороший разгон. Тем не менее, среди прочих производителей оверклокерской памяти решил выделиться GEIL, предложивший вниманию почтеннейшей публики комплекты памяти серии Golden Dragon. Изюминка этих модулей заключается не только в отборных чипах и шестислойном дизайне печатной платы, но и новом типе упаковки чипов, именуемом WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package).От традиционного TSOP данный тип упаковки отличается тем, что кристаллы переносятся непосредственно на текстолитовую основу без пайки.Тонкостей это го процесса GEIL не раскрывает, но утверждает, что отсутствие распаиваемых контактов значительно снижает паразитные шумы и помехи в работе памяти, а также уменьшает уровень тепловыделения. В итоге память можно разгонять больше при более низкой рабочей температуре.

В Японии уже продаются комплекты DDR 433 (PC3500) из пары модулей по 256 Мб.

Модули односторонние, содержат восемь 32 Мб чипов каждый. Чипы закрыты слоем прозрачного пластика.

Оформление текстолита гармонирует с названием - Золотой Дракон присутствует в виде орнаментов .

На том месте, где у каждого среднестатистического находится глаз, на микрогравюре находится светодиод, который при работе модуля светится красным. Удобный индикатор правильности установки модуля - конкурентам стоит взять прием на вооружение.

Комплект поставляется в стилизованной под китайский антиквариат черной книжице, содержащей инструкцию и пару модулей DDR 433.

Производитель утверждает, что SPD модулей специально настроен для использования на двухканальных материнских платах. Тайминги памяти составляют 2-6-3-3, а рабочее напряжение изменяется в пределах от 2.5 В до 2.9 В. Время выборки составляет 4.5 нс, что соответствует номинальной частоте 444 МГц DDR.

Данный комплект стоит в Японии $170. Кстати, компания GEIL производит аналогичные комплекты DDR 400 и даже DDR 500, так что взыскательному оверклокеру с тугим кошельком удастся подобрать пару "золотых драконов" по вкусу.

PC3700

12/06/2003 Память PC3700 Gold Edition успешно испытана по технологии HyperSpeed

Крупнейший производитель памяти DDR фирма OCZ Technology, объявила о проведении испытаний памяти PC3700 Gold Edition на работоспособность по технологии HyperSpeed на базе материнской платы ABIT IC7-G, построенной на чипсете Intel i875.

Испытания показали, что память эффективно и стабильно работает на платформах i875 и i865 на предельных настройках.

Модули памяти OCZ Gold Edition и Dual Channel Gold Edition успешно протестированы на ABIT IC7-G со следующими настройками:

17/06/2003 Производители памяти начинают готовиться к приходу Grantsdale

Пока весь мир ожидает появления чипсета для Intel Pentium 4 Socket T (форм-фактор LGA775) производители памяти DRAM уже полны оптимизма. Как известно, до второго квартала 2004 года чипсеты Grantsdale будут работать с двухканальной DDR400, а с выпуском Grantsdale P станет возможно использование DDR-II 533MHz. Производители памяти планирует начать выпуск DDR-II 533 уже в конце года.

Intel Springdale i865 с поддержкой DDR400 оказался очень кстати производителям DDR, не меньшие надежды возлагаются и на DDR-II. Так, Nanya Technology начинает производство DDR-II 400 SO-DIMM для ноутбуков уже в четвертом квартале этого года, а в первом квартале 2004 будут выпущены первые планки DDR-II 533. Сроки массового выпуска памяти будут зависеть от планов Intel по выпуску Grantsdale.

Первым процессором для чипсета Grantsdale будет 3.6GHz Pentium 4 на 90 нм ядре Prescott. Выпущены они будут одновременно с чипсетом и будут оборудованы 1MB L2 кэша, технологией Hyper-Threading и 800MHz FSB. Кстати, первым чипсетом использующим двухканальную DDR был Nvidia nForce2 для процессоров AMD выпущенный в ноябре прошлого года, но память DDR400 не была стандартизирована до выпуска Intel i875.

17.06.2003     GDDR3 от Micron

Micron представила новую высоко технологичную память GDDR3 для NVIDIA Corporation и АТI Technologies Inc. GDDR3 обладает пропускной способностью 6,4 Gb/s и имеет 0,11 мкм техпроцесс. Являясь самой быстрой памятью на сегодняшний момент, она предназначена для использования в hi-end PC и новых 3D ускорителях требующих огромную пропускную способность. Производительность GDDR3 возросла на 50% процентов по сравнению с DDR2.

22.06.2003      Corsair выпускает "PC3700" (DDR467) модули...

Компания Corsair Memory выпустила официальный пресс-релиз, в котором сообщила о том, что она выпустила свои новые высокоскоростные модули памяти DDR SDRAM DIMM, способных работать на частоте 467DDR МГц, правда при весьма "медленных" при таймингах 3-4-4-8-T1 (для сравнения - PC3200 модули той же Corsair работают на паспортной частоте 400 МГц при таймингах 2-3-2-6-T1). Представлены два модуля и два "двухканальных" набора для плат на чипсетах i865PE и i875P, причем, что любопытно, "одинокие" модули накрываются стандартными, синими распределителями тепла, тогда как "двухканальные" - серебристыми (видимо, чтобы не путать!):

CMX256A-3700: - 256 МБ, 467 МГц DDR SDRAM DIMM модуль;

CMX512-3700: - 512 МБ, 467 МГц DDR SDRAM DIMM модуль;

TWINX512-3700: пара 256 МБ 467 МГц DDR SDRAM DIMM модулей CMX256A-3700;

TWINX1024-3700: пара 512 МБ 467 МГц DDR SDRAM DIMM модулей CMX512-3700.

TWINX1024-3700   CMX512-3700

TWINX1024-3700

CMX512-3700

Как ускорить работу с памятью?

Поддержка памяти чипсетами материнских плат

Чипсет Тип памяти1) Макс. объём
AMD
ALI M1647 DDR2662) 3072 Мбайт
Nvidia Nforce DDR2663) 1536 Мбайт
Nvidia Nforce 2 DDR4003) 3072 Мбайт
SIS 735 DDR266 1024 Мбайт
SIS 745 DDR333 1536 Мбайт
SIS 746 DDR333 3072 Мбайт
SIS 746FX DDR400 3072 Мбайт
VIA KT266A DDR266 2048 Мбайт
VIA KT333 DDR333 4092 Мбайт4)
VIA KT400 DDR333 4092 Мбайт4)
VIA KT400A DDR4003) 4092 Мбайт4)
Intel
ALI M1671 DDR333 3072 Мбайт
ALI M1681 DDR400 3072 Мбайт
Intel 7205 DDR3333) 4092 Мбайт4)
Intel 845E DDR266 2048 Мбайт
Intel 845PE DDR333 2048 Мбайт
Intel 865P DDR333 4092 Мбайт4)
Intel 865PE DDR4003) 4092 Мбайт4)
Intel 875P DDR4003) 4092 Мбайт4)
SIS 645 DDR333 3072 Мбайт
SIS 648 DDR333 3072 Мбайт
SIS 648FX DDR400 3072 Мбайт
SIS 655 DDR3333) 4092 Мбайт4)
VIA P4X266A DDR266 4092 Мбайт4)
VIA P4X333 DDR333 4092 Мбайт4)
VIA P4X400 DDR333 4092 Мбайт4)
VIA P4T400 DDR400 4092 Мбайт4)

1)Поддерживается самый быстрый стандарт DDR SDRAM; DDR266 = PC2100; DDR333 = PC2700; DDR400 = PC3200

2) Со степпинга C1 поддерживается DDR333

3) Двухканальный интерфейс памяти

4) Доступно 3576 Мбайт

Как оптимизировать память в BIOS

Меню BIOS на материнских платах предлагает множество настроек для оптимизации памяти. Настройки изменяют функции работы с памятью, которые, несмотря на общую природу, часто получают разные названия. Мы вкратце объясним настройки. Обычные значения параметров указаны в скобках, лучшее значение подчёркнуто. Мы также включили примеры названия опций в различных версиях BIOS. Учтите, что меню далеко не всех BIOS имеет все настройки.

Автоматическая конфигурация/ Automatic Configuration (On/ Off) (DRAM Auto, Timing Selectable, Timing Configuring) Если вы желаете вручную сконфигурировать задержки памяти, то вам следует отключить автоматическую конфигурацию памяти.

Чередование банков/ Bank Interleaving (Off/ 2/ 4) (Bank Interleave) Чипы памяти DDR SDRAM состоят из четырёх банков. Одновременный доступ ко всем четырём банкам с помощью чередования увеличивает производительность.

Длина пакета/ Burst Length (4/ 8)

Длина пакета указывает, сколько блоков данных отсылаются в один цикл передачи. В идеальном случае одна передача будет заполнить одну строку памяти в кэше L2 современных Pentium 4 и Athlon XP. То есть она должна равняться 64 байтам или восьми пакетам данных.

Задержка CAS/ CAS Latency tCL (1.5/ 2.0/ 2.5/ 3.0) (CAS Latency Time, CAS Timing Delay) Обозначает число тактов, проходящих между адресацией столбца и появлением данных на выходном регистре. Производитель памяти указывает максимально возможную установку CL.

Командный коэффициент CMD/ Command Rate CMD (1/ 2) (Command Rate, MA 1T/2T Select) Число тактов, необходимых для адресации нужного участка данных в модуле памяти и чипе памяти. Если вы заполните максимальное число банков, то придётся увеличить коэффициент до двух, что негативно скажется на производительности.

Время предзаряда RAS/ RAS Precharge Time tRP (2/ 3) (RAS Precharge, Precharge to active) Число тактов, требуемых для подзаряда цепей, чтобы определить адрес строки.

27/07/2003 A-DATA выпускает DDR500

Вслед за OCZ, Geil и других "оверклокерских" компаний, тайваньская A-Data Technology решила выпустить свою версию модулей памяти DDR500. Напомню, что DDR500 является не утверждённым JEDEC стандартом и представляет собой просто разогнанные DDR400. Теоретически, максимальная пропускная способность такой памяти при функционировании в 2-х канальном режиме составляет около 8 Гб/с.

Модули будут иметь объём 256 и 512 Мб, и поставляться в retail-варианте. Розничные цены пока неизвестны и будут варьироваться от региона к региону, но для сравнения, цена на такие же модули от Kingston составляет $112 за 256 и $218 за 512 Мб.

31/07/2003    DDR500 от Hynix Semiconductor

Компания Hynix Semiconductor Inc. анонсировала выход 500МГц 256-бит DDR SDRAM чипов памяти. Чип изготовлен по 0,13 микронной технологии. Новая память будет доступна в FBGA, TSOP и QFP пакетах.

Hynix DDR500
В данный момент DRAM рынок испытывает быстрый переход от памяти стандарта DDR266 к DDR333/400, Hynix ожидает, что 10-20% спроса на DDR400 перейдет к DDR500. Массовое производство DDR500 памяти намечено на август 2003 года.

01/08/2003       Новые HyperX DDR500 модули памяти от Kingston

Компания Kingston Technology представила новые модули памяти HyperX DDR500(PC4000 и PC3700) емкостью 256Мб(KHX4000/256) и 512Мб(KHX4000/512), а также парные комплекты из них суммарной емкостью 512Мб(KHX4000K2/512) и 1Гб(KHX4000K2/1G).

Kingston HyperX 256Мб DDR500Kingston HyperX 256Мб DDR500

Каждый поставляемый модуль Kingston HyperX PC4000 на чипах с тактовой частотой 500МГц и 466МГц характеризуются CL(CAS Latency 3) 3-4-4-8-1, напряжением питания 2,65В и наличием радиатора. Комплекты Kingston HyperX PC4000 и PC3700 дополнительно тестируется на системе с платой AbitIC7/IC7-G.

21.08.03  В первом квартале 2004 года будет выпущена память типа PC4250 (DDR 533) для платформы P4. Удивительно, с каким упорством производители оверклокерской памяти пытаются любой ценой выжать из архитектуры DDR-I максимум частотного потенциала .

В четвертом квартале этого года будут выпущены модули DDR 400 с ECC для платформы  AMD64.

Память типа DDR-II начнет распространяться в серверном сегменте, в настольных системах ее интенсивно будет продвигать Intel, но цены на первые модули будут достаточно высоки. Для обеспечения преемственности первые материнские платы на чипсете Grantsdale будут иметь пару слотов для DDR-I и пару слотов для DDR-II.

Теплораспределители на модулях памяти почти бесполезны с точки зрения разгона – от силы удается выиграть 2-3 МГц.

В системах "продвинутых оверклокеров" стандартным объемом памяти постепенно становится 1 Гб. Это заявление не должно вызывать у иных комплекса неполноценности .

Aug 25 2003  DDR533 SDRAM на чипах Hynix

Как это не кажется удивительным, минувшие выходные оказались ознаменованы появлением в продаже DDR памяти, предназначенной для работы на частоте 533 МГц. Причем, в данном случае речь идет не об оверклокерских модулях памяти, которые не так давно были проанонсированы рядом компаний, например GeIL, а о вполне обычной памяти, даже не снабженной теплорассеивающими радиаторами.

Правда, пока DDR533 модули памяти появились в Японии, однако, по практике, можно ожидать, что вскоре подобные продукты можно будет приобрести и в Москве. Чтобы лишний раз увериться в этом, достаточно посмотреть на то, какие же это модули.

Итак, изображенные на фото модули имеют емкость 512 Мбайт и рассчитаны на работу при частоте 533 МГц с вполне приемлемыми таймингами 3-4-4-8. Компания Buffalo, чье название значится на этикетке, производителем данной памяти не является, поскольку фирма является лишь реселлером. Так что о происхождении этих замечательных модулей памяти ничего конкретного сказать невозможно.

Еще больший интерес вызывает маркировка чипов:

Согласно документации Hynix, который является производителем данных микросхем памяти, используемые чипы HY5DU56822BT-D43 – DDR400 CL3. Поэтому, скорее всего, данные модули построены на специально отобранных микросхемах.

Замечу, что совсем недавно наша лаборатория тестировала модули памяти, построенные на аналогичных чипах. Эти модули продемонстрировали свою работоспособность на относительно высоких частотах, однако частоту 533 МГц все же не покорили. Тем не менее, нужно заметить, что память, построенная на чипах Hynix, в последнее время дает много поводов для радости оверклокеров.

Стоимость указанных 512-мегабайтных модулей DDR533 SDRAM составляет порядка $238. В продаже имеются также и аналогичные модули памяти с вдвое меньшим объемом. Их цена составляет $126.

В заключение стоит заметить, что покорение DDR-I памятью рубежа в 533 МГц – знаковое событие. DDR-II память, чье внедрение на рынок начнется в середине следующего года, изначально будет рассчитана на частоты 400 и 533 МГц. Однако, DDR-I, как видим, обогнала DDR-II уже сегодня.

29.08.2003  Samsung продвигает GDDR-2

Сегодня Samsung анонсировала чипы видеопамяти GDDR-2, работающие на тактовой частоте 800 МГц(Эффективная - 1600 МГц), и имеющие емкость 256 МБит на чип. Благодаря этому стал возможен выпуск плат, несущих на борту 512 МБ графической памяти, при учете 256-битной шины памяти, ее теоретическая пропускная способность будет составлять более 51 ГБ/Сек. Новые чипы совместимы со стандартной 144-контактной упаковкой BGA, поэтому допускается возможность их установки на карты, ранее оборудованные 128 МБитной памятью.

Площадка для очередной "карты-монстра" подготовлена...

07/10/2003 OCZ представила память DDR 533

Компания OCZ, пожалуй, первой в мире анонсировала двухканальную память DDR 533 (PC 4200). Планки 256 и 512 Мб, как уже стало привычным, будут продаваться парами, т.е. по 512 и 1 Гб памяти в комплекте. Сами модули относятся к семейству Premier.

Для достижения частоты в 266 MHz OCZ применила технологию HyperSpeed. Каждая планка памяти имеет черный алюминиевый радиатор и, по словам компании вручную протестирована на плате Asus P4C800. Память работает при напряжении 2,8 В с таймингами 3-4-4-8. Другой технологией, примененной при изготовлении, стала EVP (Extended Voltage Protection) которая дает возможность поднимать напряжение при разгоне без каких-либо опасений до 2,9 В.

03.11.2003  1 Гб небуферизованные модули DDR400 для PC и MAC

Компания Transcend сообщила о выпуске 1 Гб небуферизованных модулей DDR400 SDRAM, выполненных на чипах FBGA. Модули позиционируются производителем как решения для платформы i865/i875 и Apple Power PC.

  • Стандартные 184-контактные модули PC3200
  • Тайминги – 3-3-3 (CL=3)
  • Напряжение питания – 2,6 В
  • P/n TS128MLD64V4A3


seo & website usability   inet   html   os faq   hardware faq   video   cpu   hdd   mainboard faq   printer & scaner   modem   mobiles   hackzone
SDRAM
DDR
DDR2
DDR3
Quad Band Memory (QBM)
SRAM
RDRAM
FeRAM
RAM faq
Словарь терминов

На главную | Cookie policy | Sitemap